[发明专利]具有功率晶体管管芯和外围接地连接的放大器模块

权利要求书

1.一种功率放大器模块，其特征在于，包括：

模块衬底，所述模块衬底具有安装表面、在所述安装表面处暴露的第一模块垫、在所述安装表面处暴露的第二模块垫和在所述安装表面处暴露的第三模块垫；

第一功率晶体管管芯，所述第一功率晶体管管芯具有输入/输出(I/O)表面、与所述I/O表面相对的接地表面、在所述I/O表面处暴露的输入垫、在所述I/O表面处暴露的输出垫和集成功率晶体管，所述集成功率晶体管具有电耦合到所述输入垫的控制端、电耦合到所述输出垫的第一载流端和电耦合到所述接地表面的第二载流端，其中所述第一功率晶体管管芯耦合到所述模块衬底且所述I/O表面面向所述安装表面，所述输入垫电耦合到所述第一模块垫，并且所述输出垫电耦合到所述第二模块垫；

第一散热器，所述第一散热器具有以物理方式和电气方式耦合到所述第一功率晶体管管芯的所述接地表面的第一热接触表面，其中所述第一热接触表面具有延伸超出所述第一功率晶体管管芯的所述接地表面的外围部分；以及

电接地接触结构，所述电接地接触结构连接在所述第一热接触表面的所述外围部分与所述模块衬底的所述第三模块垫之间。

2.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，所述模块衬底另外包括：

输入信号触点，所述输入信号触点电耦合到所述第一模块垫；

输出信号触点，所述输出信号触点电耦合到所述第二模块垫；以及

系统接地触点，所述系统接地触点电耦合到所述第三模块垫。

3.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，另外包括：

输入接触结构，所述输入接触结构连接在所述第一功率晶体管管芯的所述输入垫与所述第一模块垫之间；以及

输出接触结构，所述输出接触结构连接在所述第一功率晶体管管芯的所述输出垫与所述第二模块垫之间。

4.根据权利要求3所述的功率放大器模块，其特征在于，所述输入接触结构和所述输出接触结构各自包括选自导电柱和焊料的一个或多个部件。

5.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，所述电接地接触结构包括选自导电柱和焊料的一个或多个部件。

6.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，所述第一散热器包括选自铜或另一块状导电材料的导热导电材料。

7.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，所述集成功率晶体管为场效应晶体管，所述控制端为所述场效应晶体管的栅极端，所述第一载流端为所述场效应晶体管的漏极端，并且所述第二载流端为所述场效应晶体管的源极端。

8.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于，所述第一功率晶体管管芯包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述半导体衬底的所述第二表面对应于所述第一功率晶体管管芯的所述接地表面；以及

堆积结构，所述堆积结构在所述半导体衬底的所述第一表面上形成，其中所述堆积结构的暴露表面对应于所述第一功率晶体管管芯的所述I/O表面。

9.根据权利要求8所述的功率放大器模块，其特征在于，所述第一功率晶体管管芯另外包括：

导电层，所述导电层在所述半导体衬底的所述第二表面上；以及

多个穿衬底通孔，其中所述穿衬底通孔中的每一个从所述半导体衬底的所述第一表面延伸到所述半导体衬底的所述第二表面，并且其中所述集成功率晶体管的所述第二载流端通过所述多个穿衬底通孔电耦合到所述导电层。

10.一种制造功率放大器模块的方法，其特征在于，所述方法包括：

将功率晶体管管芯的接地表面耦合到散热器的第一热接触表面的第一部分，其中所述功率晶体管管芯具有输入/输出(I/O)表面、与所述I/O表面相对的所述接地表面、在所述I/O表面处暴露的输入垫、在所述I/O表面处暴露的输出垫和集成功率晶体管，所述集成功率晶体管具有电耦合到所述输入垫的控制端、电耦合到所述输出垫的第一载流端和电耦合到所述接地表面的第二载流端；

将所述功率晶体管管芯连接到模块衬底的安装表面，所述模块衬底包括在所述安装表面处暴露的第一模块垫、第二模块垫和第三模块垫，其中所述功率晶体管管芯连接到所述模块衬底的所述安装表面，使得所述输入垫连接到所述第一模块垫，且所述输出垫连接到所述第二模块垫；以及

将电接地接触结构连接在所述散热器的所述第一热接触表面的外围部分与所述第三模块垫之间。