[发明专利]场效应晶体管、气体传感器及其制造方法

权利要求书

1.场效应晶体管，是包含基板、源极、漏极、栅极和作为半导体层的金属有机结构体膜的场效应晶体管，其中，金属有机结构体膜包含具有π共轭系骨架的有机配体和金属离子以在基板的面方向上展开的方式配位的多个晶体结构经由π-π相互作用在基板上层叠的层叠结构，各晶体结构具有通过有机配体和金属离子的配位而形成的细孔，在所述层叠结构中，邻接的晶体结构的细孔在膜厚方向上连通，场效应晶体管为顶部接触型。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其为底部栅极-顶部接触型。

3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中，π共轭系骨架包含至少一个芳环而构成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的场效应晶体管，其中，π共轭系骨架为多环芳族烃结构。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的场效应晶体管，其中，有机配体具有三次对称性。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的场效应晶体管，其中，金属离子为可取4以上的配位数的金属离子。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的场效应晶体管，其中，栅极为铝电极。

8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其中，在铝电极的表面形成有作为栅极绝缘层的氧化铝。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的场效应晶体管，其中，金属有机结构体膜采用LBL法形成，所述LBL法包括：在基板上涂布包含金属离子的含金属离子溶液的工序、和在基板上涂布包含有机配体的含有机配体溶液的工序。

10.气体传感器，其包括根据权利要求1～9中任一项所述的场效应晶体管。

11.方法，是制造根据权利要求1～8中任一项所述的场效应晶体管的方法，其包括采用LBL法形成金属有机结构体膜的工序，所述LBL法包括：在基板上涂布包含金属离子的含金属离子溶液的工序、和在基板上涂布包含有机配体的含有机配体溶液的工序。