[发明专利]半导体器件及制造方法

说明书

本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了一种半导体器件和制造方法。在实施例中，形成电介质鳍以帮助隔离相邻半导体鳍。使用沉积工艺形成电介质鳍，其中沉积时间和温度用于增加电介质鳍对后续蚀刻工艺的抗性。

技术领域

本公开涉及半导体器件及制造方法。

背景技术

半导体器件被用于各种电子应用，例如，个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上按顺序地沉积绝缘或电介质材料层、导电材料层和半导体材料层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件被集成到给定区域中。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在电介质材料内形成开口，所述电介质材料位于半导体鳍之间；以及在所述开口内沉积第一电介质材料，沉积所述第一电介质材料包括：以脉冲方式输送第一前驱物材料持续约20秒到约120秒之间的第一时间；以脉冲方式输送第二前驱物材料持续约70秒到约200秒之间的第二时间，所述第二前驱物材料不同于所述第一前驱物材料；以及以脉冲方式输送第三前驱物材料持续约20秒到约120秒之间的第三时间，所述第三前驱物材料不同于所述第一前驱物材料和所述第二前驱物材料两者。

根据本公开的另一实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：沉积阻挡层以内衬于在半导体鳍之间的电介质材料中的开口，沉积所述阻挡层包括：引入第一前驱物材料持续第一时间；在引入所述第一前驱物材料之后，引入第二前驱物材料持续第二时间，所述第二前驱物材料不同于所述第一前驱物材料；以及在引入所述第二前驱物材料之后，引入第三前驱物材料持续第三时间，所述第三前驱物材料不同于所述第一前驱物材料和所述第二前驱物材料两者；通过沉积体材料来填充所述开口的剩余部分，沉积所述体材料包括：引入所述第一前驱物材料持续比所述第一时间长的第四时间；在引入所述第一前驱物材料以沉积所述体材料之后，引入所述第二前驱物材料持续比所述第二时间长的第五时间；以及在引入所述第二前驱物材料以沉积所述体材料之后，引入所述第三前驱物材料持续比所述第三时间长的第六时间。

根据本公开的又一实施例，提供了一种半导体器件，包括：半导体鳍，延伸穿过电介质材料；以及混合电介质鳍，从所述电介质材料内延伸，所述混合电介质鳍包括：阻挡层，所述阻挡层包括具有第一成分的第一材料；以及体材料，所述体材料包括具有不同于所述第一成分的第二成分的所述第一材料，所述第二成分具有比所述第一成分更大的碳浓度。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各方面。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的三维视图中的FinFET的示例。

图2、图3、图4、图5、图6、图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图8A、图8B、图9、图10、图11、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A、图14B、图14C、图14D、图15A、图15B、图16A、图16B、图17A、图17B、图18A、图18B、图18C、图19A、图19B、图20A、图20B、图21A和图21B是根据一些实施例的制造FinFET的中间阶段的截面图。

具体实施方式