[发明专利]集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法

说明书

本申请案涉及集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法。用于形成集成电路的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠在其中包括腔，所述腔包括阶梯状结构。所述腔的侧壁的至少一部分以牺牲材料加衬。绝缘材料在所述牺牲材料的径向内侧形成于所述腔中。从所述腔侧壁与所述绝缘材料之间移除所述牺牲材料中的至少一些以在其间形成空隙空间。绝缘体材料形成于所述空隙空间中的至少一些中。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。

技术领域

本文公开的实施例涉及集成电路和用于形成集成电路的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且用于计算机系统中以存储数据。存储器可被制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(也可被称作位线、数据线或感测线)和存取线(也可被称作字线或栅极线)对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长的时间段。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选状态保留或存储存储器。在二进制系统中，状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两个以上电平或状态的信息。

场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括其间具有半导电沟道区的一对导电源极/漏极区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与沟道区分离。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流动到另一者。当从栅极去除电压时，大大地防止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆可编程电荷存储区。

快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。例如，现代个人计算机可使BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器替代传统的硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是集成式快闪存储器的基本架构。NAND单元装置包括与存储器单元的串联组合进行串联耦合的至少一个选择装置(且所述串联组合通常称为NAND串)。NAND架构可以三维布置来配置，所述三维布置包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元单独地包括可逆编程的竖直晶体管。控制件或其它电路可形成于竖直堆叠的存储器单元之下。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括单独地包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。

存储器阵列可布置于存储器页、存储器块和部分块(例如，子块)和存储器平面中，例如如美国专利申请公开案第2015/0228651号、第2016/0267984号和第2017/0140833号中的任一个中所展示和描述。存储器块可至少部分地限定竖直堆叠的存储器单元的个别字线层中的个别字线的纵向轮廓。与这些字线的连接可在竖直堆叠的存储器单元的阵列的末端或边缘处所谓的“阶梯结构”中发生。阶梯状结构包含限定个别字线的接触区的个别“台阶”(替代地称为“梯级”或“阶梯”)，竖向延伸的导电通孔接触所述接触区以提供对字线的电存取。

发明内容

在一方面中，本公开涉及一种用于形成集成电路的方法，其包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠在其中包括腔，所述腔包括阶梯状结构；以牺牲材料对所述腔的侧壁的至少一部分加衬；在所述腔中在所述牺牲材料的径向内侧形成绝缘材料；从所述腔侧壁与所述绝缘材料之间移除所述牺牲材料中的至少一些以在其间形成空隙空间；以及在所述空隙空间中的至少一些中形成绝缘体材料。