[发明专利]存储器件以及其混合间隔物

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

布置在所述衬底之上的多个金属/介电层，所述金属/介电层中的每一者包括金属层和金属间介电层，所述金属层包括钨；

半导体沟道，其布置为穿过所述金属/介电层，所述半导体沟道包括半导体材料；

在所述半导体沟道与所述金属/介电层之间的存储膜；

过孔接触部，其布置为穿过所述金属/介电层；以及

布置在所述金属/介电层与所述过孔接触部之间的混合间隔物，所述混合间隔物包括包含复合介电材料的复合介电层，并且所述复合介电材料的成分是第一介电材料的成分和与所述第一介电材料不同的第二介电材料的成分的混合物，其中，所述复合介电材料具有比所述第一介电材料和所述第二介电材料更高的致密性。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述混合间隔物还包括另一介电层，所述另一介电层包括所述第一介电材料和所述第二介电材料。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述另一介电层布置在所述复合介电层的靠近所述金属/介电层的一侧和所述复合介电层的远离所述金属/介电层的另一侧。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述混合间隔物还包括：

第一介电层，其布置在所述复合介电层的靠近所述金属/介电层的一侧并且包括所述第一介电材料；以及

第二介电层，其布置在所述复合介电层的远离所述金属/介电层的另一侧并且包括所述第二介电材料。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中：

所述第一介电材料包括氧化锆；

所述第二介电材料包括氧化硅；以及

所述复合介电材料包括锆-氧-硅复合氧化物。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述锆-氧-硅复合氧化物中的锆与硅的摩尔比处于从近似0.3至近似0.7的范围内。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述锆-氧-硅复合氧化物中的锆与硅的摩尔比近似为0.5。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述过孔接触部包括钨和多晶硅中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述过孔接触部包括多晶硅层和布置在所述多晶硅层之上的钨层。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述过孔接触部具有柱状结构，并且所述间隔物围绕所述过孔接触部。

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述衬底包括布置在所述过孔接触部之下的掺杂区。

12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述过孔接触部与所述掺杂区接触并且电耦合到所述掺杂区。

13.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储膜包括沿着从所述半导体沟道朝向所述金属/介电层的方向依次布置的遂穿层、储存层和阻挡层。

14.根据权利要求13所述的存储器件，其中，所述半导体沟道具有柱状结构，并且所述存储膜围绕所述半导体沟道。