[发明专利]巨量转移方法、巨量转移装置和缓冲载体

说明书

本公开涉及一种巨量转移方法、一种巨量转移装置和一种缓冲载体。所述巨量转移方法包括：(a)提供设置在源载体上的多个电子组件；(b)提供包括多个调整空腔的缓冲载体；以及(c)将所述电子组件从所述源载体转移到所述缓冲载体，其中所述电子组件被放入所述缓冲载体的所述调整空腔中，以将所述电子组件的位置从偏移位置调整到正确位置。

技术领域

本公开涉及巨量转移(mass transfer)工具和一种巨量转移方法，且涉及一种巨量转移装置、一种缓冲载体以及一种使用所述巨量转移装置和所述缓冲载体的巨量转移方法。

背景技术

关于半导体封装，例如面板级封装(panel level package；PLP)，其制造工序通常包括基于晶片(wafer)的加工和转移技术(transferring techniques)。为了减少制造时间，需要将来自单分晶片(singulated wafer)的多个裸片(multi-dies)转移到衬底(substrate)或载体(carrier)。然而，单切工序(singulating process)和转移工序(transferring process)可能导致所述多个裸片的位置偏移(shift)，从而降低制造良率(manufacturing yield)。

发明内容

在一些实施例中，一种巨量转移方法包括：(a)提供设置在源载体上的多个电子组件；(b)提供包括多个调整空腔的缓冲载体；以及(c)将所述电子组件从所述源载体转移到所述缓冲载体，其中所述电子组件被放入所述缓冲载体的所述调整空腔中，以将所述电子组件的位置从偏移位置调整到正确位置。

在一些实施例中，一种巨量转移装置包括多个吸附垫。所述吸附垫彼此间隔开。所述吸附垫中的至少一个具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包括从所述第二表面凹入的容纳空腔。

在一些实施例中，一种缓冲载体包括主体以及多个调整空腔。所述主体具有上表面。所述调整空腔从所述主体的所述上表面凹入。所述调整空腔中的至少一个具有低于所述主体的所述上表面的内部调整侧壁。

附图说明

当结合附图阅读时，可从以下具体实施方式容易地理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1显示本公开的一些实施例的电子组件和巨量转移装置的立体图。

图2显示沿图1的线X-X的剖视图。

图3显示本公开的一些实施例的巨量转移装置的立体图。

图4显示沿图3的线X-X的剖视图。

图5显示与图3视角相反的本公开的一些实施例的巨量转移装置的立体图。

图6显示本公开的一些实施例的抽吸单元的分解立体图。

图7显示本公开的一些实施例的抽吸单元的分解立体图。

图8显示本公开的一些实施例的缓冲载体和巨量转移装置的立体图。

图9显示沿图8的线X-X的剖视图。

图10显示本公开的一些实施例的缓冲载体的立体图。

图11显示沿图10的线Y-Y的剖视图。

图12显示图11中的区域“C”的放大视图。

图13显示本公开的一些实施例的图11中的区域“C”的放大视图。

图14显示本公开的巨量转移方法的一些实施例的一或多个阶段的剖视图。

图15显示图14中的区域“A”的放大视图。

图16显示本公开的巨量转移方法的一些实施例的一或多个阶段的剖视图。