[发明专利]一种分子印迹-表面增强拉曼传感芯片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种分子印迹-表面增强拉曼传感芯片的制备方法，其特征在于：包含贵金属纳米粒子膜和覆盖在所述贵金属纳米粒子膜表面的分子印迹膜；所述分子印迹膜是在微米级的限域空间内制备而成，所述分子印迹膜的模板分子为SERS惰性分子，所述SERS惰性分子包括隐色孔雀石绿，所述限域空间的高度为50~90μm；

所述分子印迹-表面增强拉曼传感芯片的制备方法包括如下步骤：

（1）在贵金属纳米粒子膜表面接枝引发剂；

（2）以SERS惰性分子或SERS活性分子作为模板分子，将模板分子、分子印迹功能单体、交联剂和溶剂混合得分子印迹预聚液，然后将所述分子印迹预聚液加到接枝了引发剂的贵金属纳米粒子膜表面；然后将贵金属纳米粒子膜表面的分子印迹预聚液限制在微米级的限域空间内进行聚合反应，反应结束后形成覆盖所述贵金属纳米粒子膜的分子印迹膜；

（3）去除所述分子印迹膜的模板分子；

步骤（1）中，所述在贵金属纳米粒子膜表面接枝引发剂的方法为，先在贵金属纳米粒子膜表面修饰羧基，对所述羧基进行活化后将贵金属纳米粒子膜浸泡于引发剂溶液中，所述引发剂为含氨基引发剂，包括2,2 '-偶氮二异丁基脒二盐酸盐；

所述贵金属纳米粒子膜负载于一载板上，将所述分子印迹预聚液加到接枝了引发剂的贵金属纳米粒子膜表面后，通过采用另一载板进行盖合，从而实现步骤（2）所述的将贵金属纳米粒子膜表面的分子印迹预聚液限制在微米级的限域空间内进行聚合反应。

2.根据权利要求1所述分子印迹-表面增强拉曼传感芯片的制备方法，其特征在于：所述贵金属纳米粒子膜包括金纳米粒子膜、银纳米粒子膜中的任意一种或多种。

3.分子印迹-表面增强拉曼传感芯片在原位拉曼检测SERS惰性分子中的应用，其特征在于，所述分子印迹-表面增强拉曼传感芯片为权利要求1-2任一项所述的分子印迹-表面增强拉曼传感芯片制备方法制备得到的。

4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述SERS惰性分子包括隐色孔雀石绿。

5.一种原位拉曼检测隐色孔雀石绿的方法，其特征在于：包括如下步骤：将待测溶液加到分子印迹-表面增强拉曼传感芯片上，原位识别后，洗去杂质，加入氧化剂进行氧化，最后进行拉曼测定；所述MIP-SERS传感芯片的MIP膜以隐色孔雀石绿为模板分子制备而成；所述分子印迹-表面增强拉曼传感芯片为权利要求1-2任一项所述的分子印迹-表面增强拉曼传感芯片制备方法制备得到的。