[发明专利]一种晶圆的清洗方法

说明书

本发明公开了一种晶圆的清洗方法，包括如下步骤：提供一边缘具有表面阻碍物的晶圆，并使晶圆沿轴心旋转，在晶圆上方设置主喷淋口，以对晶圆中间区域喷淋清洗药液进行清洗；在晶圆上方提供副喷淋口，对晶圆表面喷淋清洗药液进行清洗，副喷淋口到晶圆轴心线的距离不低于表面阻碍物到晶圆轴心线的距离，且副喷淋口的喷淋区域至少覆盖表面阻碍物旋转形成的圆环区域。本发明的清洗方法能够有效消除因激光打印等阻碍物引起的药印缺陷等问题，且清洗效率高、清洗效果好且稳定。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种晶圆的清洗方法，尤其涉及一种能去除晶圆表面因激光打字产生的药印的清洗方法。

背景技术

现代工艺对用于外延的晶圆表面洁净度、平坦度、弯曲度的要求都非常高，因此，通常需要对晶圆进行清洗，以去除晶圆表面附着的颗粒杂质和表面的金属离子。晶圆清洗分为手动清洗和自动清洗，由于自动清洗存在清洗效率高、合格率稳定、出错率远低于手工清洗等优势，因而晶圆的清洗方法逐渐从手工清洗转变为自动清洗。

自动清洗方面主要有槽式清洗和单片清洗。槽式清洗是将晶圆放在晶舟内，每个槽分别放置不同的清洗药液，清洗时把晶舟按工艺顺序在槽内清洗，主要用于硅片的清洗；优点是可以批量生产，一个晶舟可以容纳25片；缺点是药液重复使用容易造成晶圆污染和药品的有效性降低,药液切换间隔比单片清洗要长。单片清洗与手工清洗的共同点是对晶圆一片片进行清洗，区别在于自动化程度高，药液切换可以做到无间隔冲洗；主要清洗方式是电机带动主轴旋转，晶圆放在上面与主轴旋转产生离心力，药液在晶圆中心正上方来回喷淋晶圆，由于离心力作用使药液均匀扩散到晶圆表面达到清洗效果。现有的自动化清洗优点是药液可以不断更新，没有冲洗间隔，自动化程序高，清洗效果稳定，效率较手工高；缺点是当扩散的药液经过的时间与其他地方不同或当晶圆表面存在较明显的平面凹凸（例如限定和带动晶圆的档柱等）时，会产生药印缺陷的痕迹。同时，晶圆经过表面抛光后其表面整体通常都是光滑的，但是有些为了某些需要会要求在晶圆主面上进行激光打字，当进行常规的单片清洗时，腐蚀性药液流过激光打字后会留下痕迹。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服以上背景技术中提到的不足和缺陷，提供一种清洗效率高、清洗效果好，能够有效消除因激光打印等阻碍物引起的药印缺陷等问题的晶圆的清洗方法。

为实现以上目标，本发明采用如下的技术方案：

一种晶圆的清洗方法，包括如下步骤：

提供一边缘具有表面阻碍物的晶圆，并使晶圆沿轴心旋转，在晶圆上方设置主喷淋口，以对晶圆中间区域喷淋清洗药液进行清洗；

在晶圆上方提供副喷淋口，对所述晶圆表面喷淋清洗药液进行清洗，所述副喷淋口到晶圆轴心线的距离不低于所述表面阻碍物到晶圆轴心线的距离，且所述副喷淋口的喷淋区域至少覆盖所述表面阻碍物旋转形成的圆环区域。

上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述副喷淋口的喷淋方向与所述晶圆的轴心线成一夹角，所述夹角的范围为0～20°，即副喷淋口的喷淋方向与晶圆表面呈90～110°夹角。

上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述副喷淋口喷淋清洗药液的喷淋速度为1～3m/s。

上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述副喷淋口到晶圆表面的垂直距离为2～3cm。

上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述表面阻碍物为激光打字区域。

上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述主喷淋口的喷淋方向垂直于晶面。

上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述主喷淋口喷淋清洗药液的喷淋速度为0.5～1m/s。

上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述主喷淋口能沿晶圆的径向进行往复移动；所述往复移动以晶圆中心为中点，所述往复移动的最大距离为15～25mm。