[发明专利]生产电子级多晶硅的方法有效
| 申请号： | 202110405133.7 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113264528B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吴锋;黄金发;陈卓;张天雨;王海豹 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生产 电子 多晶 方法 | ||
1.一种生产电子级多晶硅的方法，其特征在于，包括：
(1)在多晶硅还原炉内设置多圈硅棒，其中，内圈硅棒采用低电阻硅芯，中圈硅棒和/或外圈硅棒采用高电阻硅芯；
(2)向所述内圈硅棒施加第一电压、以高压击穿的方式通电，并向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气，进行第一阶段反应，在所述内圈硅棒上沉积得到第一多晶硅产品；
(3)向所述中圈硅棒和/或外圈硅棒施加第二电压，持续向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气，进行第二阶段反应，在所述中圈硅棒和/或外圈硅棒上沉积得到第二多晶硅产品；
所述第一电压为6000～13000V，所述第二电压为50～130V；
所述第一阶段反应中，三氯氢硅流量为50～200kg/h，氢气流量为3～10kg/h，持续时间为1～5h；
所述第二阶段反应中，三氯氢硅流量为1000～2200kg/h，氢气流量为40～120kg/h，持续时间为100～150h；
所述内圈硅棒采用方形切割硅芯，所述内圈硅棒的边长为0.7～1.5cm；所述中圈硅棒和/或外圈硅棒采用圆形硅芯。
2.根据权利要求1所述的生产电子级多晶硅的方法，其特征在于，所述内圈硅棒包括3对，所述外圈硅棒包括6对。
3.根据权利要求1所述的生产电子级多晶硅的方法，其特征在于，所述内圈硅棒包括3对，所述中圈硅棒包括6对，所述外圈硅棒包括9对。
4.根据权利要求2或3所述的生产电子级多晶硅的方法，其特征在于，所述内圈硅棒采用独立供电，且每对硅棒各采用1相供电。
5.根据权利要求1所述的生产电子级多晶硅的方法，其特征在于，所述低电阻硅芯的电阻率为5～20ohm·cm，所述高电阻硅芯的电阻率为1000～6000ohm·cm。
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