[发明专利]湿法腐蚀夹具在审

专利信息
申请号: 202110405272.X 申请日: 2021-04-15
公开(公告)号: CN112951748A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 廖洪钢;邓俊先;江友红 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/687
代理公司: 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人: 方惠春
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 湿法 腐蚀 夹具
【说明书】:

本发明属于微纳加工技术领域,具体涉及一种湿法腐蚀夹具,包括底座、顶盖和密封机构,底座上设有承载部,用于承载待腐蚀的晶圆,顶盖设在底座上方,密封机构用于防止腐蚀液接触朝承载部的晶圆正面,密封机构、顶盖和晶圆背面共同形成用于容纳腐蚀液的腔室,腔室内设有喷头,喷头的出液口位于承载部上方,用于喷出腐蚀液以腐蚀晶圆背面。功能全面,具有对晶圆背面进行全面腐蚀和局部腐蚀的功能。全面腐蚀:装载好待腐蚀的晶圆,向腔室内装入足量腐蚀液,对晶圆背面进行全面腐蚀;局部腐蚀:装载好待腐蚀的晶圆,通过喷头对晶圆背面特定区域喷洒腐蚀液,对晶圆背面局部进行微量腐蚀。

技术领域

本发明属于微纳加工技术领域,具体涉及一种湿法腐蚀夹具。

背景技术

微纳加工即是微米级纳米级单位的加工,常常应用在材料科学和芯片设计等领域,一般是通过光刻技术、LIGA技术、键合技术、封装技术等,把图形转移到衬底上面,衬底一般是硅晶圆。

为了将芯片功能化,一般要在晶圆正面镀金属膜、半导体膜等,在晶圆背面则选择性腐蚀部分晶圆。在湿法腐蚀工艺中,腐蚀液往往能和晶圆正面的膜材料发生反应,从而破坏晶圆正面的膜结构。通常的保护晶圆正面膜结构的方法是将保护胶旋涂在晶圆正面,但这种方法成本高,效果差,且保护胶不易去除。

发明专利CN105405802A公开了一种湿法腐蚀保护夹具,可以在不涂保护胶的情况下保护晶圆正面不受腐蚀,但功能比较单一,只有对晶圆背面进行全面腐蚀的功能,不具有对晶圆背面进行局部腐蚀的功能。

发明内容

为解决上述问题,本发明提供一种功能更全面的湿法腐蚀夹具,具有对晶圆背面进行全面腐蚀和局部腐蚀的功能。

具体地,本发明的技术方案是:

一种湿法腐蚀夹具,包括底座、顶盖和密封机构,底座上设有承载部,用于承载待腐蚀的晶圆,顶盖设在底座上方,密封机构用于防止腐蚀液接触朝承载部的晶圆正面,密封机构、顶盖和晶圆背面共同形成用于容纳腐蚀液的腔室,腔室内设有喷头,喷头的出液口位于承载部上方,用于喷出腐蚀液以腐蚀晶圆背面。

优选地,所述顶盖上还设有搅拌器,搅拌器的搅拌头位于承载部上方。

优选地,所述喷头的数量为多个,搅拌器的搅拌头设在顶盖中央,多个喷头围绕搅拌头,设置在搅拌头的周围。

优选地,所述密封机构包括锁紧机构和设在承载部上方的密封圈,待腐蚀的晶圆放置在承载部与密封圈之间,密封圈的内径小于待腐蚀的晶圆的尺寸,在锁紧机构的锁紧下,顶盖紧压密封圈。

优选地,所述底座顶面设有第一凹槽,第一凹槽为圆柱形结构,密封圈为圆环形结构,外径小于第一凹槽的直径,承载部为设在第一凹槽内的承载片,承载片为圆形结构。

优选地,所述承载片下方设有缓冲垫圈,缓冲垫圈与密封圈尺寸相同。

优选地,所述顶盖包括圆柱体,圆柱体的顶部设有沿径向向外延伸的延伸部,圆柱体的底面设有向上凹陷的第二凹槽,第二凹槽的直径与密封圈的内径一致,喷头设在第二凹槽内,锁紧机构包括多个连接延伸部与底座的螺钉。

优选地,所述顶盖包括上盖和下盖,上盖为圆盘结构,设在下盖上方,喷头固定在上盖上。

优选地,所述延伸部的外周面与底座的外周面平齐,底座上环绕第一凹槽设有多个第一螺孔,延伸部上设有第二螺孔,螺钉螺接第一螺孔和第二螺孔并锁紧,而将顶盖固定在底座上。

优选地,所述承载片采用耐碱腐蚀的玻璃或钢材制成,底座和顶盖采用聚四氟材料制成。

本发明提供的湿法腐蚀夹具功能全面,具有对晶圆背面进行全面腐蚀和局部腐蚀的功能。全面腐蚀:装载好待腐蚀的晶圆,向腔室内装入足量腐蚀液,对晶圆背面进行全面腐蚀;局部腐蚀:装载好待腐蚀的晶圆,通过喷头对晶圆背面特定区域喷洒腐蚀液,对晶圆背面局部进行微量腐蚀。

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