[发明专利]湿法腐蚀夹具在审
申请号: | 202110405272.X | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN112951748A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 廖洪钢;邓俊先;江友红 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 方惠春 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 腐蚀 夹具 | ||
本发明属于微纳加工技术领域,具体涉及一种湿法腐蚀夹具,包括底座、顶盖和密封机构,底座上设有承载部,用于承载待腐蚀的晶圆,顶盖设在底座上方,密封机构用于防止腐蚀液接触朝承载部的晶圆正面,密封机构、顶盖和晶圆背面共同形成用于容纳腐蚀液的腔室,腔室内设有喷头,喷头的出液口位于承载部上方,用于喷出腐蚀液以腐蚀晶圆背面。功能全面,具有对晶圆背面进行全面腐蚀和局部腐蚀的功能。全面腐蚀:装载好待腐蚀的晶圆,向腔室内装入足量腐蚀液,对晶圆背面进行全面腐蚀;局部腐蚀:装载好待腐蚀的晶圆,通过喷头对晶圆背面特定区域喷洒腐蚀液,对晶圆背面局部进行微量腐蚀。
技术领域
本发明属于微纳加工技术领域,具体涉及一种湿法腐蚀夹具。
背景技术
微纳加工即是微米级纳米级单位的加工,常常应用在材料科学和芯片设计等领域,一般是通过光刻技术、LIGA技术、键合技术、封装技术等,把图形转移到衬底上面,衬底一般是硅晶圆。
为了将芯片功能化,一般要在晶圆正面镀金属膜、半导体膜等,在晶圆背面则选择性腐蚀部分晶圆。在湿法腐蚀工艺中,腐蚀液往往能和晶圆正面的膜材料发生反应,从而破坏晶圆正面的膜结构。通常的保护晶圆正面膜结构的方法是将保护胶旋涂在晶圆正面,但这种方法成本高,效果差,且保护胶不易去除。
发明专利CN105405802A公开了一种湿法腐蚀保护夹具,可以在不涂保护胶的情况下保护晶圆正面不受腐蚀,但功能比较单一,只有对晶圆背面进行全面腐蚀的功能,不具有对晶圆背面进行局部腐蚀的功能。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种功能更全面的湿法腐蚀夹具,具有对晶圆背面进行全面腐蚀和局部腐蚀的功能。
具体地,本发明的技术方案是:
一种湿法腐蚀夹具,包括底座、顶盖和密封机构,底座上设有承载部,用于承载待腐蚀的晶圆,顶盖设在底座上方,密封机构用于防止腐蚀液接触朝承载部的晶圆正面,密封机构、顶盖和晶圆背面共同形成用于容纳腐蚀液的腔室,腔室内设有喷头,喷头的出液口位于承载部上方,用于喷出腐蚀液以腐蚀晶圆背面。
优选地,所述顶盖上还设有搅拌器,搅拌器的搅拌头位于承载部上方。
优选地,所述喷头的数量为多个,搅拌器的搅拌头设在顶盖中央,多个喷头围绕搅拌头,设置在搅拌头的周围。
优选地,所述密封机构包括锁紧机构和设在承载部上方的密封圈,待腐蚀的晶圆放置在承载部与密封圈之间,密封圈的内径小于待腐蚀的晶圆的尺寸,在锁紧机构的锁紧下,顶盖紧压密封圈。
优选地,所述底座顶面设有第一凹槽,第一凹槽为圆柱形结构,密封圈为圆环形结构,外径小于第一凹槽的直径,承载部为设在第一凹槽内的承载片,承载片为圆形结构。
优选地,所述承载片下方设有缓冲垫圈,缓冲垫圈与密封圈尺寸相同。
优选地,所述顶盖包括圆柱体,圆柱体的顶部设有沿径向向外延伸的延伸部,圆柱体的底面设有向上凹陷的第二凹槽,第二凹槽的直径与密封圈的内径一致,喷头设在第二凹槽内,锁紧机构包括多个连接延伸部与底座的螺钉。
优选地,所述顶盖包括上盖和下盖,上盖为圆盘结构,设在下盖上方,喷头固定在上盖上。
优选地,所述延伸部的外周面与底座的外周面平齐,底座上环绕第一凹槽设有多个第一螺孔,延伸部上设有第二螺孔,螺钉螺接第一螺孔和第二螺孔并锁紧,而将顶盖固定在底座上。
优选地,所述承载片采用耐碱腐蚀的玻璃或钢材制成,底座和顶盖采用聚四氟材料制成。
本发明提供的湿法腐蚀夹具功能全面,具有对晶圆背面进行全面腐蚀和局部腐蚀的功能。全面腐蚀:装载好待腐蚀的晶圆,向腔室内装入足量腐蚀液,对晶圆背面进行全面腐蚀;局部腐蚀:装载好待腐蚀的晶圆,通过喷头对晶圆背面特定区域喷洒腐蚀液,对晶圆背面局部进行微量腐蚀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造