[发明专利]可实时精准监测温度和射频特性的功率器件及其封装方法

权利要求书

1.可实时精准监测温度和射频特性的功率器件，其特征在于该可实时监测温度和射频特性的功率器件包括至少一个功率晶体管、PAD和温度/射频特性检测部，由单个功率晶体管或多个功率晶体管并联连接形成功率部件，PAD与功率部件间隔设置，温度/射频特性检测部的一端与PAD相连，温度/射频特性检测部的另一端接地或者与功率晶体管的源极相连。

2.根据权利要求1所述的可实时精准监测温度和射频特性的功率器件，其特征在于所述的功率晶体管为GaAs晶体管、InP晶体管、GaN晶体管、SiC晶体管或者CMOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的可实时精准监测温度和射频特性的功率器件，其特征在于所述的温度/射频特性检测部为负温度系数热敏电阻、正温度系数热敏电阻、电阻、电容或电感。

4.根据权利要求1所述的可实时精准监测温度和射频特性的功率器件，其特征在于所述功率晶体管、PAD和温度/射频特性检测部在同一晶片上制造。

5.可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于该封装方法按照以下步骤实现：

在封装散热板上贴有芯片粘接薄膜，集成功率器件的芯片贴装在芯片粘接薄膜上，在封装散热板上还设置有至少一个温度监测模块，温度监测模块与芯片粘接薄膜间隔设置。

6.根据权利要求5所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于所述温度监测模块由台面热敏电阻组成。

7.根据权利要求5所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于所述温度监测模块由薄膜电阻组成。

8.根据权利要求7所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于所述薄膜电阻是通过沉积NiCr或TaN形成的。

9.根据权利要求5所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于集成功率器件的芯片中的功率器件由GaAs、InP、GaN、SiC或CMOS晶体管制成。

10.根据权利要求5所述的可实时监测温度的功率器件的封装方法，其特征在于在封装散热板上设置有多个温度监测模块，多个温度监测模块均匀设置在芯片粘接薄膜的四周。