[发明专利]一种VCSEL芯片及其制造方法

说明书

本发明涉及激光芯片技术领域，且公开了一种VCSEL芯片及其制造方法，包含以下步骤：S1：制备晶圆，并在晶圆的表面刻蚀出一个圆台；S2：将晶圆上表面的P电极区域进行刻蚀；S3：覆盖绝缘层、电流集中层顶表面和部分侧壁的电连接层；S4：在绝缘层上涂一层光刻胶；S5：对芯片外表面进行氧化膜的覆盖。该VCSEL芯片及其制造方法，驱动装置带动转动盘转动，转动盘转动时带动固定杆转动，固定杆拉动滑动块从而带动槽板移动，槽板移动时拉动转动架，从而带动转动架及其喷气盒转动，槽板移动时带动挤压板反复挤压弹性囊，从而使得弹性囊中的气体通过出气管进入喷气盒中，喷气盒中的热气体通过莲蓬头喷出，从而均匀地喷在芯片主体上，从而加速了氧化膜的生成。

技术领域

本发明涉及激光芯片技术领域，具体为一种VCSEL芯片及其制造方法。

背景技术

垂直腔面发射激光器芯片，又称VCSEL芯片，是以砷化镓半导体材料为基础的激光发射芯片，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用与光通信、光互连、光存储等领域。

VCSEL芯片在制造时往往需要注意氧化膜的生成，芯片表面一旦生成氧化膜，把芯片放在氧气、氮气或者溶液等不同环境下，让它们和芯片表面发生化学反应，直接在芯片表面“生长”出来一层薄膜，这些膜往往都是高硬度的绝缘体，可以起到隔断电流、保护芯片内部结构等作用，而氧化膜的生成十分注重温度的控制，目前市场上的芯片在生产时往往由于温度的问题，导致氧化膜的生成受到影响，为此现提出一种VCSEL芯片及其制造方法。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，发明提供了一种VCSEL芯片及其制造方法，具备实现准确控制温度，生成氧化膜时使芯片受热均匀，提高氧化膜生成率的优点，解决了片在生产时往往由于温度的问题，导致氧化膜的生成受到影响的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，发明提供如下技术方案：一种VCSEL芯片及其制造方法，包含以下步骤：

S1：制备一晶圆，并在晶圆的表面刻蚀出一个圆台；

S2：将晶圆上表面的P电极区域进行刻蚀，刻蚀的区域形成绝缘层然后留作备用；

S3：覆盖绝缘层、电流集中层顶表面和部分侧壁的电连接层；

S4：在绝缘层上涂一层光刻胶，然后去除剩余未被曝光显影掉的光刻胶；

S5：对芯片外表面进行氧化膜的覆盖，将芯片放置于氮气环境下并向芯片外表面通入热空气。

根据上述的一种VCSEL芯片及其制造方法，现提出一种VCSEL芯片及其造方法使用装置，包括装置主体与夹紧装置，装置主体的顶部固定安装有调节装置，装置主体的底部固定安装有检测箱，装置主体的内部设置有转动盘，转动盘的前面固定连接有固定杆，固定杆的下方活动连接有槽板，槽板的前面设置有转动架，转动架的上部固定连接有喷气盒，槽板的下面固定连接有挤压板，挤压板远离槽板的一侧设置有弹性囊，弹性囊的下方设置有电热箱。

优选的，夹紧装置包含夹板，夹板的外侧固定连接有铁片，铁片固定连接有复位弹簧，复位弹簧的内部设置有螺线管，夹板的内侧设置有芯片主体，夹紧装置中的夹板将芯片主体夹紧，在对芯片主体进行完氧化膜覆盖后通过电源开关将螺线管通电，螺线管通电后产生磁性从而吸引夹板上的铁片，两块夹板同时移动从而使得芯片主体下落进入检测箱中进行检测。

优选的，调节装置包含有调节轮、电源开关、刻度尺，电源开关与螺线管电性连接，电源开关用以控制螺线管是否通电。

优选的，转动盘的后面设置有驱动装置，槽板的后面固定连接有滑动块，滑动块的外侧设置有滑槽，驱动装置带动转动转盘转动，转动盘转动时带动固定杆转动，转动杆拉动滑动块从而带动槽板移动，槽板移动时拉动转动架，从而带动转动架及其喷气盒转动。