[发明专利]一种余弦栅加载类正弦波导慢波结构有效

专利信息
申请号: 202110406466.1 申请日: 2021-04-15
公开(公告)号: CN113113279B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 张建;魏彦玉;徐进;殷海荣;岳玲娜;赵国庆 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01J23/24 分类号: H01J23/24
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 温利平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 余弦 加载 正弦 波导 结构
【权利要求书】:

1.一种余弦栅加载类正弦波导慢波结构,包括:

一正弦波导,其宽边长度为a,窄边长度为b,纵向即传输方向上下为以宽边为中心进行起伏的正弦线周期性带状起伏,正弦线周期性带状起伏的高度为h,正弦线周期性带状起伏的周期长度为p,正弦线周期性带状起伏的宽度为a;

上下正弦线周期性带状起伏之间为带状电子注通道,该带状电子注通道的宽度为正弦波导的宽边长度a;

上下正弦线周期性带状起伏在带状电子注通道方向上被削顶,被削顶部分在带状电子注通道方向上为直线型,即在带状电子注通道方向上没有起伏;

其特征在于:

所述上下正弦线周期性带状起伏被削顶部分在宽边方向为一个周期的余弦起伏,形成一个余弦栅,上正弦线周期性带状起伏上形成的余弦栅为上余弦栅,下正弦线周期性带状起伏上形成的余弦栅为下余弦栅,余弦栅周期与宽边长度相同为a,起伏幅度为h2;

上余弦栅下方与下余弦栅上方在窄边方向最小距离为h1,即上余弦栅的波谷与下余弦栅波峰窄边方向的距离即高度差为h1,带状电子注通道高度为:hb=h1+h2+h2×cos(2πx/a),其中,x为余弦起伏位置距离正弦波导壁的距离,正弦波导壁即带状电子注通道壁。

2.根据权利要求1所述的余弦栅加载类正弦波导慢波结构,其特征在于:

上正弦线周期性带状起伏的顶部表面为弧形柱状表面,弧形柱状表面与两侧的上正弦线周期性带状起伏表面相切连接,其横截面为弧形,半径为R,圆心到上余弦栅波谷的距离为L,同样,下正弦线周期性带状起伏的底部表面为弧形柱状表面,弧形柱状表面与两侧的下正弦线周期性带状起伏表面相切连接,其横截面为弧形,半径为R,圆心到下余弦栅波峰的距离为L。

3.根据权利要求2所述的余弦栅加载类正弦波导慢波结构,其特征在于:

结构尺寸为:a=0.72mm,b=0.55mm,p=0.471mm,h=0.24mm,h1=0.13mm,h2=0.01mm,R=0.1mm,L=0.24mm。

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