[发明专利]一种化学机械抛光设备及其晶圆缓存装置和晶圆缓存方法在审
申请号: | 202110407074.7 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113130360A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 杨渊思 | 申请(专利权)人: | 杭州众硅电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
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地址: | 311305 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 设备 及其 缓存 装置 方法 | ||
1.一种晶圆缓存装置,其特征在于,所述晶圆缓存装置包含:缓存箱体,设置在所述缓存箱体上的驱动组件,以及连接所述驱动组件并设置在所述缓存箱体内的晶圆存储组件;所述驱动组件驱动所述晶圆存储组件在所述缓存箱体内做升降运动,以实现所述晶圆存储组件上的晶圆离开或进入缓存箱体内的水环境。
2.如权利要求1所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述驱动组件设置在所述缓存箱体外部或内部。
3.如权利要求1所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述晶圆存储组件包含:固定连接所述驱动组件的晶圆支架,以及固定连接所述晶圆支架的至少两个晶圆座。
4.如权利要求3所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述晶圆座上下平行间隔排布。
5.如权利要求3所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述晶圆缓存装置还包含箱盖,其固定连接所述驱动组件,并位于所述晶圆座的上方,所述箱盖的尺寸与所述缓存箱体的开口尺寸匹配。
6.如权利要求1所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述缓存箱体上设置给排水口和溢水口。
7.如权利要求1所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述晶圆缓存装置还包含机械手,以配合缓存装置使用,所述机械手至少包含升降、水平移动2个自由度。
8.如权利要求7所述的晶圆缓存装置,其特征在于,所述晶圆座包含缺口,所述缺口与机械手的方向一致。
9.一种化学机械抛光设备,其特征在于,包含:
抛光单元,其用于对晶圆进行抛光处理;
清洗单元,其用于对抛光后的晶圆进行清洗处理;
至少一个如权利要求1-8中任意一项所述的晶圆缓存装置,其设置在所述抛光单元和所述清洗单元之间,用于缓存晶圆,使晶圆处于长时间的水环境保护。
10.如权利要求9所述的化学机械抛光设备,其特征在于,所述晶圆缓存装置还包含中转机械手,用于实现对所述晶圆缓存装置进行晶圆抓取及放置作业。
11.如权利要求10所述的化学机械抛光设备,其特征在于,所述中转机械手包含:旋转轴、机械手臂、以及夹爪,所述夹爪通过所述机械手臂安装于所述旋转轴上,所述旋转轴提供绕Z轴旋转和Z向升降两个自由度,所述机械手臂带动所述夹爪在水平X向移动。
12.一种用于如权利要求9-11中任意一项所述的化学机械抛光设备的晶圆缓存方法,其特征在于,驱动组件驱动晶圆存储组件从缓存箱体内升起,晶圆座离开缓存箱体内的水环境;采用机械手将晶圆放置入晶圆座,或采用机械手从晶圆座抓取晶圆;驱动组件驱动晶圆存储组件降入缓存箱体内,晶圆座进入缓存箱体内的水环境。
13.如权利要求12所述的晶圆缓存方法,其特征在于,所述机械手为清洗区机械手,或抛光区机械手,或中转机械手。
14.如权利要求12所述的晶圆缓存方法,其特征在于,按照从上至下的顺序从晶圆缓存装置的晶圆座中抓取晶圆,率先抓取最上层的晶圆座中的晶圆,下层未被抓取晶圆的晶圆座仍然处于缓存箱体内的水环境中。
15.如权利要求12所述的晶圆缓存方法,其特征在于,按照从下至上的顺序将晶圆放置入晶圆缓存装置的晶圆座中,率先将晶圆放置入最下层的晶圆座中,已经放置晶圆的晶圆座下降进入缓存箱体内的水环境。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造