[发明专利]基于原位聚合的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料、制备方法及应用

权利要求书

1.一种基于原位聚合的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的制备方法，其特征在于：通过原位聚合的方法制备，首先将以石墨烯为主的导电填充相分散在合成形状记忆聚合物基体的液相单体和/或溶剂中形成分散液，然后再将载有导电填充相的分散液与合成形状记忆聚合物单体进行聚合反应，从而制备石墨烯/形状记忆聚合物复合材料。

2.根据权利要求1所述的基于原位聚合的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的制备方法，其特征在于：所述以石墨烯为主的导电填充相的用量为形状记忆聚合物基体重量的5％～10％。

3.根据权利要求1所述的基于原位聚合的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的制备方法，其特征在于：所述形状记忆聚合物基体为环氧形状记忆聚合物、EVA、PVC、PET、聚酰亚胺或聚芳醚酮类聚合物种的一种或多种，所述聚芳醚酮类聚合物为聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚酮、聚醚醚酮酮或聚醚酮醚酮酮。

4.根据权利要求1所述的基于原位聚合的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的制备方法，其特征在于：所述复合材料基体为环氧聚合物，所述合成形状记忆聚合物基体的环氧单体为2,3环氧环己酮，固化剂甲基六氢苯酐；或者，所述环氧单体为缩水甘油胺类树脂，所述固化剂为咪唑类。

5.根据权利要求4所述的基于原位聚合的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的制备方法，其特征在于：环氧单体和固化剂的质量比为1:0.6～1。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法制备的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料，其特征在于，所述形状记忆聚合物复合材料发生预变形时形状固定率范围是50～99％；材料在预变受热后发生形状恢复，其形状恢复率范围为10～95％；形状恢复温度范围为100℃～220℃。

7.权利要求6所述导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的防止电磁波干扰应用方法，其特征在于：基于形状记忆效应，将所述石墨烯/形状记忆聚合物复合材料经预变形处理后在任意大小和形状的电子设备外表面形成紧密包覆并且固定的形状；基于复合材料的电磁屏蔽特性，包覆在电子设备表面的石墨烯/形状记忆聚合物复合材能够对电子设备进行电磁屏蔽。

8.权利要求6所述的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的防止静电干扰的应用方法，其特征在于：基于形状记忆效应，将所述石墨烯/形状记忆聚合物复合材料经预变形处理后能够在任意大小和形状的电子设备外表面形成紧密包覆并且固定形状；基于复合材料的导电性能，所述包覆在电子设备表面的石墨烯/形状记忆聚合物复合材能对电子设备产生的静电进行传导和传输，消除静电干扰。

9.权利要求6所述的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的高导热应用方法，其特征在于：基于形状记忆效应，将所述石墨烯/形状记忆聚合物复合材料经预变形处理后在任意大小和形状的电子设备外表面形成紧密包覆并且固定形状；基于复合材料的高导热特性，所述包覆在电子设备表面的石墨烯/形状记忆聚合物复合材能将设备产生的热量进行有效的传输传导。

这种可变形的导热装置可利用材料的形状恢复特性自动从电子设备上脱落下来，就像是为电子设备穿上了一件传热的“外衣”。

10.权利要求6所述的导电/导热石墨烯/形状记忆聚合物复合材料的高导热应用方法，其特征在于，具有权利要求7-9中的至少两个的组合应用。