[发明专利]一种浅灰色三银低辐射镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种浅灰色三银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，本镀膜玻璃包括玻璃基片层(G)和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃基片层(G)向外依次复合有十八个膜层，其中第一层(1)和第二层(2)第一电介质组合层，第三层(3)为第一低辐射功能层，第四层(4)为第一阻挡保护层，第五层(5)为第一晶床介质层，第六层(6)和第七层(7)为第二电介质组合层，第八层(8)为第二低辐射功能层，第八层(9)为颜色调节层，第十层(10)和第十一层(11)为第二阻挡保护层，第十二层(12)为第二晶床介质层，第十三层(13)和第十四层(14)为第三电介质组合层，第十五层(15)为第三低辐射功能层，第十六层(16)为第三阻挡保护层、第十七层(17)和第十八层(18)为第四电介质层。

2.根据权利要求1所述一种浅灰色三银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一层(1)为SiNx层，膜层厚度为15～40nm；所述第二层(2)为ZnAl层，膜层厚度为10～20nm；所述第三层(3)Ag层，膜层厚度为5～10nm；所述第四层(4)为AZO层,膜层厚度为5～8nm；所述第五层(5)为SiNx层,膜层厚度为40～50nm；所述第六层(6)为ZnSn层,膜层厚度为5～15nm；所述第七层(7)为ZnAl层,膜层厚度为5～20nm；所述第八层(8)为Ag层，膜层厚度为10～20nm；所述第八层(9)为Cu层，膜层厚度为1～5nm；所述第十层(10)为NiCr层，膜层厚度为1～3nm；所述第十一层(11)为AZO层，膜层厚度为8～15nm；所述第十二层(12)为SiNx层，膜层厚度为25～40nm；所述第十三层(13)为ZnSn层,膜层厚度为10～25nm；所述第十四层(14)为ZnAl层,膜层厚度为10～30nm；所述第十五层(15)为Ag层,膜层厚度为10～20nm；所述第十六层(16)为AZO层，膜层厚度为5～8nm；所述第十七层(17)为SiNx层，膜层厚度为20～40nm；第十八层(18)为Zrox层，膜层厚度为10nm。

3.一种制备如权利要求1所述的浅灰色三银低辐射镀膜玻璃的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)、磁控溅射镀膜层；

A、磁控溅射第一层(1)：

靶材数量：交流旋转靶2～4个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1.28:1；溅射气压为3～5×10-3mbar；

B、磁控溅射第二层(2)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2；溅射气压为3～5×10-3mbar；

C、磁控溅射第三层(3)：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为2～3×10-3mbar；

D、磁控溅射第四层(4)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为AZO；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为3～5×10-3mbar；

E、磁控溅射第五层(5)：

靶材数量：交流旋转靶5～7个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1.28:1；溅射气压为3～5×10-3mbar；

F、磁控溅射第六层(6)：

靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌锡(ZnSn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氮气的比例为1:2；溅射气压为3～5×10-3mbar；

G、磁控溅射第七层(7)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为锌锡(ZnSn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2；溅射气压为3～5×10-3mbar；

H、磁控溅射第八层(8)：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为2～3×10-3mbar；

I、磁控溅射第八层(9)：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为铜(Cu)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为2～3×10-3mbar；

J、磁控溅射第十层(10)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体比：纯氩气；溅射气压为2～3×10-3mbar；

K、磁控溅射第十一层(11)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(AZO)；工艺气体：纯氩气；溅射气压为3～5×10-3mbar；

L、磁控溅射第十二层(12)：

靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1.28:1；溅射气压为3～5×10-3mbar；

I、磁控溅射第十三层(13)：

靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌锡(ZnSn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2；溅射气压为3～5×10-3mbar；

J、磁控溅射第十四层(14)：

靶材数量：交流旋转靶1～3个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2；溅射气压为3～5×10-3mbar；

K、磁控溅射第十五层(15)：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为2～3×10-3mbar；

L、磁控溅射第十六层(16)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(AZO)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为3～5×10-3mbar；

M、磁控溅射第十七层(17)：

靶材数量：交流旋转靶2～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14；溅射气压为3～5×10-3mbar；

N、磁控溅射第十八层(18)：

靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为氧化锆(Zro)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:0.3；溅射气压为3～5×10-3mbar；

2)、镀膜层总厚度控制在180-380nm之间，溅射室传动走速控制在4.0-5.5m/min。