[发明专利]一种ZnO纳米线敏感材料制备方法及其应用

权利要求书

1.一种ZnO纳米线敏感材料制备方法，其特征在于，所述方法包括以下制备过程：

（1）采用硅基板作为衬底，依次放入丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗后吹干；

（2）称量适量的Zn粉，利用研磨锅充分研磨后置于氧化铝瓷舟中的中心区域；

(3)将清洗后的硅基板放于氧化铝瓷舟上面，在距离Zn源正上方的位置，然后将瓷舟放入管式反应炉高温区域；

(4)通入氮气作为载气，氮气的流量为150mL/min；10分钟后，以10℃/min的升温速率将炉管温度升至相应的反应温度，并保持这个温度1小时；随后自然冷却到室温；所述相应的反应温度为900℃；

(5)取出硅基板，即得到ZnO纳米线，将其保存在干燥器中以待进行分析检测；所述的Zn粉为高纯Zn；制得的ZnO纳米线阵列直径为50-200nm，纳米线长度超过10μm。

2.根据权利要求1所述的一种ZnO纳米线敏感材料制备方法的应用，其特征在于，所述ZnO纳米线敏感材料应用于H₂S气体传感器中，制备H₂S气体传感器步骤如下：

(1)取ZnO纳米线置于离心管中，然后向离心管中滴入乙醇混合，并超声分散10分钟；

(2)通过移液器将含有ZnO纳米线的悬浊液滴涂在镀Pt电极的硅基板上，置于红外灯下烘烤30分钟进行固膜；

(3)将固膜后的元件置于测试台上，用导电银浆连接Pt导线，在实验室自制的动态气敏测试平台测试传感器的气体敏感特性。