[发明专利]半导体器件结构、半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

源极部件和漏极部件；

至少一个沟道结构，在所述源极部件和所述漏极部件之间延伸；

栅极结构，包裹所述至少一个沟道结构的每个；

半导体层，位于所述栅极结构上方；

介电层，位于所述半导体层上方；

掺杂的半导体部件，延伸穿过所述半导体层和所述介电层以与所述源极部件接触；

金属接触插塞，位于所述掺杂的半导体部件上方；以及

掩埋电源轨，设置在所述金属接触插塞上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述半导体层包括硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述源极部件、所述漏极部件和所述掺杂的半导体部件包括硅、硅锗或锗。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述源极部件、所述漏极部件和所述掺杂的半导体部件还包括磷、砷、锑、硼或镓。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：

硅化物层，设置在所述掺杂的半导体部件和所述金属接触插塞之间的界面处。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述掺杂的半导体部件部分延伸至所述金属接触插塞中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述源极部件包括与所述至少一个沟道结构接触的外部层和与所述至少一个沟道结构间隔开的内部层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中，所述掺杂的半导体部件与所述内部层接触并且与所述外部层间隔开。

9.一种半导体器件，包括：

源极部件和漏极部件；

多个沟道构件，沿方向设置在所述源极部件和所述漏极部件之间；

栅极结构，包裹所述多个沟道构件的每个；

硅层，设置在所述栅极结构上方；

第一介电层，设置在所述硅层上方；

第二介电层，设置在所述第一介电层上方；

金属接触部件，设置在所述第二介电层中和所述源极部件上方；以及

外延延伸部件，设置在所述源极部件和所述金属接触部件之间，

其中，所述第二介电层的部分延伸穿过所述硅层和所述第一介电层以与所述漏极部件接触，

其中，所述外延延伸部件延伸穿过所述硅层和所述第一介电层。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

源极部件和漏极部件，设置在衬底上方，

多个沟道构件，在所述源极部件和所述漏极部件之间延伸，所述多个沟道构件设置在底部硅层和底部介电层上方，以及

栅极结构，包裹所述多个沟道构件的每个；

将所述工件的前侧接合至载体衬底，并且翻转所述工件；

选择性去除所述衬底，以从所述工件的背侧暴露所述源极部件和所述漏极部件，其中，所述背侧与所述前侧相对；

在所述工件的所述背侧上方沉积介电层；

在沉积所述介电层之后，形成穿过所述介电层的背侧源极接触开口以暴露所述源极部件；

在所述背侧源极接触开口中外延沉积延伸部件；以及

在所述延伸部件上方沉积金属填充层。