[发明专利]用于处理半导体传感器阵列装置的方法在审
| 申请号： | 202110410288.X | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113172036A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | J.鲍尔;P.瓦戈纳;S.帕克 | 申请（专利权）人： | 生命技术公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;C11D3/16;G01N27/414;H01L21/02;C11D7/50;C11D11/00;C11D3/43;C11D1/22;B08B9/08;C11D7/34;C11D3/34;B05D3/00;B05D5/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 兰恭滨 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 传感器 阵列 装置 方法 | ||
1.半导体装置的处理方法，其包括：
使一系列溶液顺序地流动到布置在传感器阵列上的流动腔室中，其中这系列过程包括：
使所述传感器阵列与处理溶液接触，其中所述处理溶液包括烷烃溶剂中的聚二甲基硅氧烷(PDMS)和磺酸的混合物；
通过冲洗溶液冲洗所述传感器阵列；和
评价半导体装置功能的测量结果。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置功能的测量结果为信噪比(SNR)测量结果。
3.如权利要求1所述的方法，其中期望的SNR测量结果包括大于12的SNR测量结果。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置功能的测量结果包括缓冲测量结果。
5.如权利要求4所述的方法，其中期望的缓冲测量结果为低于100的缓冲测量结果。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述半导体装置功能的测量结果包括关键信号测量结果。
7.如权利要求6所述的方法，其中期望的关键信号测量结果为大于90的关键信号测量结果。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置功能的测量结果包括q20平均值测量结果。
9.如权利要求8所述的方法，其中期望的q20平均值测量结果为大于160的q20平均值测量结果。
10.半导体装置的处理方法，其包括：
使处理溶液流动到布置在传感器阵列上的流动腔室中，其中所述处理溶液包括烷烃溶剂中的聚二甲基硅氧烷(PDMS)和磺酸的混合物；
使所述传感器阵列与所述处理溶液接触30秒至30分钟；
用碱溶液通过将碱溶液流动通过所述流动腔室而处理所述传感器阵列；和
通过将冲洗溶液流动通过所述流动腔室而冲洗所述传感器阵列。
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