[发明专利]基板处理用排气装置

说明书

本发明涉及基板处理用排气装置，包括：腔室部；安装于腔室部的基底部；安装于基底部的转轴部；操作台部，安装于转轴部且能够旋转，并且使放置于操作台部的基板旋转；杯部，安装于基底部，并且将向基板喷射的药液以按照各成分分离回收的方式引导；以及内部排气部，配置于转轴部与杯部之间，用于排出流体，能够防止漂浮物质导致基板受损。

技术领域

本发明涉及基板处理用排气装置，更加详细地，涉及能够迅速地排出腔室内部的气体从而防止基板受污染的基板处理用排气装置。

背景技术

一般情况下，半导体制造工序中的晶片加工工序有如下工序：光致抗腐蚀涂覆工序(Photoresist Coating)、显影工序(DevelopBake)、蚀刻工序(Etching)、化学气相沉积工序(Chemical Vapor Deposition)、抛光工序(Ashing)等。

作为用于去除在执行上述多个步骤的工序的过程中粘贴在基板的各种污染物的工序，有利用药液(Chemical)或者去离子水(DI water，Deionized Water)的清洗工序(WetCleaning Process)。

并且，在执行清洗工序之后，还有用于干燥残留于半导体基板表面的药液或者去离子水的干燥(Drying)工序。作为用于执行干燥工序的基板干燥装置，使用利用机械力学性旋转力来干燥半导体基板的旋转干燥装置(Spin dry)和利用IPA(异丙醇，isopropylalcohol)的化学反应来干燥半导体基板的IPA干燥装置。

目前，在执行各个工序时气体漂浮，存在包含在漂浮的气体中的杂质粘贴于基板从而污染基板的问题。从而提出了改善这一问题的必要性。

韩国公开专利公报第2019-0011472号(2019.02.07.公开，发明名称：晶片干燥装置及方法)中公开了本发明的背景技术。

发明内容

本发明是为了改善上述技术问题而提出的，其目的在于提供基板处理用排气装置，能够迅速地排出腔室内部的气体从而防止基板受污染。

根据本发明的基板处理用排气装置的特征在于，包括：腔室部；基底部，安装于所述腔室部；转轴部，安装于所述基底部；操作台部，安装于所述转轴部并且能够进行旋转，并且使放置于所述操作台部的基板旋转；杯部，安装于所述基底部，将向所述基板喷射的药液以按照各成分分离回收的方式引导；以及内部排气部，配置于所述转轴部与所述杯部之间，用于排出流体。

另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述内部排气部包括：内部吸入部，形成为围绕所述转轴部的外侧，存在于所述杯部与所述转轴部之间的流体流入所述内部吸入部；内部引导部，连接于所述内部吸入部，引导流入所述内部吸入部中的流体；以及内部排出部，与所述内部引导部连通，向外部排出通过所述内部引导部移动的流体。

另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述内部排出部包括：内部导管部，连接于所述基底部，并且与所述内部引导部连通；内部开闭部，打开或关闭所述内部导管部；内部马达部，用于启动所述内部开闭部；内部测量部，安装于所述腔室部，测量所述腔室部的内部压力；以及，内部控制部，接收所述内部测量部的测量信号，以控制所述内部马达部。

根据本发明的基板处理用排气装置的特征在于，还包括：外部排气部，配置于所述杯部的外侧，用于排出流体。

另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述基底部包括：基底下板部，结合于所述腔室部，并且配置于基底上板部的下方，所述内部排气部安装于所述基底下板部；以及所述基底上板部，结合于所述腔室部，所述外部排气部安装于所述基底上板部。

另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述外部排气部包括：外部吸入部，形成为围绕所述杯部的外侧，存在于所述腔室部与所述杯部之间的流体流入所述外部吸入部；外部引导部，连接于所述外部吸入部，引导流入所述外部吸入部的流体；以及，外部排出部，与所述外部引导部连通，向外部排出通过所述外部引导部移动的流体。