[发明专利]一种PERC电池多层膜层制备设备及制备方法在审
申请号: | 202110410509.3 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113192865A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 顾生刚;时宝;张笛;周建科;杨联赞;刘海金;韩雅楠;杨永平;李吉;陈刚 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 多层 制备 设备 方法 | ||
1.一种PERC电池多层膜层制备设备,其特征在于,包括:
依次通过阀门进行通道连接的五个连接腔室、设于各个连接腔室内的滚轮组、及在所述滚轮组上进行移动的用于装载硅片的镂空载板,所述镂空载板及硅片作为制备设备的其中一个电极;
各个连接腔室分别设有抽气装置、进气装置、以及加热装置;
其中五个连接腔室依次包括进料腔室、第一沉积腔室、第二沉积腔室、第三沉积腔室、及出料腔室;
所述进料腔室用于进行抽真空和退火,所述第一沉积腔室用于对所述硅片的正面进行氧化硅层沉积,所述第二沉积腔室用于对所述硅片的背面进行氧化铝层及氮化硅层沉积,所述第三沉积腔室用于对所述硅片的正面进行氮化硅层沉积,所述出料腔室用于由真空过渡至常压、及由沉积温度过渡至室温。
2.如权利要求1所述的PERC电池多层膜层制备设备,其特征在于,所述镂空载板为石墨框,所述石墨框镂空出对应所述硅片大小的漏斗形的窗口,所述硅片的边缘装载在所述石墨框的镂空边缘之上时,所述硅片的上表面和下表面均露出在空气中。
3.如权利要求2所述的PERC电池多层膜层制备设备,其特征在于,所述石墨框的厚度为5-200mm,长度为100-2000mm,宽度为100-2000mm。
4.如权利要求1所述的PERC电池多层膜层制备设备,其特征在于,所述第一沉积腔室的上顶面设有第一石墨板电极,所述第二沉积腔室的下底面设有第二石墨板电极,所述第三沉积腔室的上顶面设有第三石墨板电极。
5.如权利要求4所述的PERC电池多层膜层制备设备,其特征在于,所述第一石墨板电极、所述第二石墨板电极、及所述第三石墨板电极与所述镂空载板之间的间距均为10-300mm。
6.如权利要求1所述的PERC电池多层膜层制备设备,其特征在于,所述第一沉积腔室中的进气装置用于分别通入硅烷和笑气,所述第二沉积腔室中的进气装置用于分别通入三甲基铝、笑气、硅烷和氨气,所述第三沉积腔室中的进气装置用于分别通入硅烷和氨气。
7.如权利要求1所述的PERC电池多层膜层制备设备,其特征在于,所述滚轮组中设有驱动其转动的电机。
8.一种采用如权利要求1-7任一项所述的PERC电池多层膜层制备设备实现的PERC电池多层膜层制备方法,其特征在于,所述方法包括:
通过滚轮组将装载有硅片的镂空载板依次传输至通过阀门进行通道连接的进料腔室、第一沉积腔室、第二沉积腔室、第三沉积腔室、及出料腔室;
在所述进料腔室进行抽真空及退火;
在所述第一沉积腔室对所述硅片的正面进行氧化硅层沉积;
在所述第二沉积腔室对所述硅片的背面进行氧化铝层及氮化硅层沉积;
在所述第三沉积腔室对所述硅片的正面进行氮化硅层沉积;
在所述出料腔室由真空过渡至常压、及由沉积温度过渡至室温,以制备得到PERC电池多层膜层结构。
9.如权利要求8所述的PERC电池多层膜层制备方法,其特征在于,所述在所述进料腔室进行抽真空及退火的步骤包括:
在所述进料腔室中通过抽气装置将气压抽至150-350Pa;
在所述进料腔室中通过加热装置将温度升温至350-500℃。
10.如权利要求8所述的PERC电池多层膜层制备方法,其特征在于,所述在所述第一沉积腔室对所述硅片的正面进行氧化硅层沉积的步骤包括:
在所述第一沉积腔室中通过由硅片和镂空载板所组成的电极和设于所述第一沉积腔室上顶面的第一石墨板电极实现对所述硅片的正面进行氧化硅层沉积,制备得到沉积厚度为2-20nm、折射率为1.95-2.3的氧化硅层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造