[发明专利]高压开关电源反馈环路和高压开关电源在审

专利信息
申请号: 202110410572.7 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113176803A 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 薛军 申请(专利权)人: 深圳市艾尔曼医疗电子仪器有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 代理人: 高雁飞
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高压 开关电源 反馈 环路
【权利要求书】:

1.一种高压开关电源反馈环路,其特征在于,包括:PWM调节基准、相位补偿电路、第二光电耦合器U5、第九电阻R9、第十电阻R10、第十二电阻R12,第二光电耦合器U5的集电极和发射极分别连接开关电源第一反馈端FB1和开关电源第二反馈端FB2,第二光电耦合器U5的阳极连接第十二电阻R12的一端及开关电源第一整流输出信号端S1,第二光电耦合器U5的阴极连接第十二电阻R12的另一端和相位补偿电路的第一端1、PWM调节基准的阴极端K,PWM调节基准的阳极端A连接第十电阻R10的一端及开关电源输出地GND,第九电阻R9的一端连接开关电源第二整流输出信号端S2,第九电阻R9的另一端连接第十电阻R10的另一端和相位补偿电路的第二端2、PWM调节基准的外部输入参考端REF,电流PWM信号Ipwm流过PWM调节基准的电流正端I+和电流负端I-。

2.如权利要求1所述的高压开关电源反馈环路,其特征在于,所述PWM调节基准包括晶体管Q1、第一运算放大器U1、低通滤波器、内部基准源、第七电阻R7、第一光电耦合器U4;所述晶体管Q1的集电极或漏极连接所述PWM调节基准的阴极端K,晶体管Q1的发射极或源极连接第一运算放大器U1的接地端、低通滤波器的接地端、第七电阻R7的一端、内部基准源的接地端和内部信号地F及所述PWM调节基准的阳极端A,晶体管Q1的基极或栅极连接第一运算放大器U1的输出端,第一运算放大器U1的电源端连接低通滤波器的电源端和内部基准源的输入端并连接辅助电源端VCC,第一运算放大器U1的同相输入端连接所述PWM调节基准的外部输入参考端REF,第一运算放大器U1的反向输入端连接低通滤波器的输出端,低通滤波器的输入端连接第一光电耦合器U4的发射极和第七电阻R7的另一端,第一光电耦合器U4的集电极连接内部基准源的输出端,第一光电耦合器U4的发光二极管的阳极连接所述PWM调节基准的电流正端I+,第一光电耦合器U4的发光二极管的阴极连接所述PWM调节基准的电流负端I-;所述晶体管Q1的集电极或漏极在所述PWM调节基准单元电路内部开路,所述第一光电耦合器U4的输入端的输入电流PWM信号Ipwm流过PWM调节基准的电流正端I+和电流负端I-并流过第一光电耦合器U4的发光二极管。

3.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路,其特征在于,所述晶体管Q1包括双极三极管、结型场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。

4.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路,其特征在于,所述运算放大器包括轨到轨运算放大器和非轨到轨运算放大器。

5.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路,其特征在于,所述内部基准源包括可编程基准集成电路U2和第五电阻R5;所述第五电阻R5的一端连接所述内部基准源的输入端,所述第五电阻R5的另一端连接可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端及所述内部基准源的输出端,可编程基准集成电路U2的阳极端连接所述内部基准源的接地端。

6.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路,其特征在于,所述低通滤波器包括第二运算放大器U3、第三电容C3和第三电阻R3;所述第三电容C3的一端连接第二运算放大器U3的接地端及低通滤波器的接地端,所述第三电容C3的另一端连接第三电阻R3的一端及低通滤波器的输出端,第三电阻R3的另一端连接第二运算放大器U3的输出端和反向输入端,第二运算放大器U3的同相输入端连接低通滤波器的输入端,第二运算放大器U3的电源端连接低通滤波器的电源端。

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