[发明专利]一种探测芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种探测芯片，其特征在于，包括：

宽禁带半导体，其用于制备紫外探测器，该紫外探测器用于探测紫外辐射；

温度传感器，其被配置在所述宽禁带半导体上，该温度传感器由温度敏感材料制成，用于检测所述宽禁带半导体的温度。

2.根据权利要求1所述的探测芯片，其特征在于，所述温度敏感材料为氧化石墨烯。

3.根据权利要求2所述的探测芯片，其特征在于，所述宽禁带半导体包括衬底材料和配置在该衬底材料上的宽禁带半导体薄膜，所述宽禁带半导体薄膜包括第一外延层和第二外延层。

4.根据权利要求3所述的探测芯片，其特征在于，所述第一外延层为氮化铝外延层，所述第二外延层为氮化镓铝外延层。

5.一种探测芯片的制备方法，其特征在于，在由宽禁带半导体制成的紫外探测器上配置由温度敏感材料制成的温度传感器。

6.根据权利要求5所述的探测芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括：

-在衬底材料上配置宽禁带半导体薄膜；

-在所述宽禁带半导体薄膜上配置还原氧化石墨烯层；

-将所述还原氧化石墨烯层配置为还原氧化石墨烯条带；

-在所述还原氧化石墨烯条带和宽禁带半导体薄膜上分别配置电极；

-对获得的芯片进行退火处理。

7.根据权利要求6所述的探测芯片的制备方法，其特征在于，通过MOCVD、MBE或HVPE在衬底上制备所述宽禁带半导体薄膜的第一外延层以及在该第一外延层上制备第二外延层。

8.根据权利要求7所述的探测芯片的制备方法，其特征在于，通过旋涂、滴涂、转移或CVD法将所述氧化石墨烯配置在所述宽禁带半导体薄膜上。

9.根据权利要求8所述的探测芯片的制备方法，其特征在于，通过热还原法或者化学还原法将所述氧化石墨烯还原为还原氧化石墨烯层。

10.根据权利要求9所述的探测芯片的制备方法，其特征在于，通过RIE、ICP或者等离子体刻蚀将所述还原氧化石墨烯层配置为还原氧化石墨烯条带。

11.根据权利要求10所述的探测芯片的制备方法，其特征在于，制备所述还原氧化石墨烯条带和宽禁带半导体薄膜的电极的材料为Ti、V、Al、Ni、Pt、Au、ITO中的一种或多种。