[发明专利]脉冲宽度调制控制电路、驱动电路和直流变换器

权利要求书

1.一种脉冲宽度调制控制电路，其特征在于，应用于高压直流-直流变换器，所述高压直流-直流变换器的输入电压信号的电压值大于预设电压阈值，且所述高压直流-直流变换器输出的第一开关节点电压信号的电压值大于所述预设电压阈值，所述预设电压阈值为18V，所述脉冲宽度调制控制电路包括：

电压电流变换模块，用于将所述高压直流-直流变换器输出的误差放大电压信号转换为采样电流信号；

高压电压采样模块，与所述电压电流变换模块连接，用于将所述采样电流信号作为采样下拉电流，根据所述输入电压信号对所述误差放大电压信号进行采样，输出采样电压信号，所述采样电压信号的电压值大于所述预设电压阈值；

比较模块，与所述高压电压采样模块连接，用于对所述采样电压信号和所述第一开关节点电压信号进行比较，输出脉冲宽度调制信号，所述高压直流-直流变换器用于根据所述脉冲宽度调制信号以及所述输入电压信号输出第二开关节点电压信号；

所述比较模块包括：

比较单元，与所述高压电压采样模块连接，将所述采样电压信号和所述第一开关节点电压信号进行比较，输出比较信号；

电流源单元，与所述比较单元连接，用于向所述比较单元提供偏置电流；

缓冲单元，与所述比较单元连接，用于对所述比较信号进行整形，输出所述脉冲宽度调制信号；

所述电流源单元包括MOS管M1和MOS管M5，所述MOS管M1和所述MOS管M5均为高压隔离P型MOS管；

所述MOS管M1的源极和所述MOS管M5的源极均与自举升压节点BS连接，所述MOS管M1的栅极和所述MOS管M1的漏极均与所述比较单元连接，所述MOS管M1的漏极与偏置电流源I_bias2连接，所述MOS管M5的栅极和MOS管M5的漏极均与所述比较单元连接，所述MOS管M5的漏极与偏置电流源I_bias1连接；

所述缓冲单元包括反相器INV1和反相器INV2；所述反相器INV1的输入端与所述比较单元连接，所述反相器INV1的输出端与所述反相器INV2的输入端连接，所述反相器INV2的输出端与所述高压直流-直流变换器中的开关管的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制控制电路，其特征在于，所述比较单元为共栅极结构。

3.根据权利要求1或2所述的脉冲宽度调制控制电路，其特征在于，所述电压电流变换模块包括：

电压电流变换单元，与所述高压直流-直流变换器中的误差放大器连接，用于将所述误差放大电压信号转换为误差放大电流信号；

斜坡补偿单元，用于产生斜坡补偿电流；

电流叠加单元，分别与所述电压电流变换单元、所述斜坡补偿单元和所述高压电压采样模块连接，用于将所述误差放大电流信号与所述斜坡补偿电流叠加，输出所述采样电流信号。

4.根据权利要求3所述的脉冲宽度调制控制电路，其特征在于，所述电压电流变换单元包括运算放大器U61、N型MOS管M63和电阻R61；

所述运算放大器U61的正极输入端与所述误差放大器连接，所述运算放大器U61的负极输入端与所述MOS管M63的源极连接，所述运算放大器U61的输出端与所述MOS管M63的栅极连接，所述MOS管M63的漏极与电流叠加单元连接，所述电阻R61的一端与所述MOS管M63的源极连接，所述电阻R61的另一端接地。

5.根据权利要求1或2所述的脉冲宽度调制控制电路，其特征在于，所述高压电压采样模块包括串联的MOS管M71和MOS管M73，所述MOS管M71和所述MOS管M73均为N型LDMOS管，所述MOS管M71的漏极与所述高压直流-直流变换器中的开关管的漏极连接，用于接收所述输入电压信号，所述MOS管M71和所述MOS管M73的栅极均与所述开关管的栅极连接，所述MOS管M73的源极分别与所述电压电流变换模块和所述比较模块连接，用于输出所述采样电压信号。