[发明专利]控制电路及升压电路

权利要求书

1.一种控制电路，其特征在于，所述控制电路用于控制与所述控制电路连接的升压电路，所述升压电路用于使输出电压高于所述升压电路的输入电压；

所述控制电路包括：脉冲宽度调制子模块、振荡器和逻辑子模块；

所述控制电路用于接收所述升压电路反馈的第一反馈信号和第二反馈信号；

所述脉冲宽度调制子模块用于根据所述第一反馈信号，调整所述脉冲宽度调制子模块输出的脉冲宽度调制波，所述振荡器用于根据所述第二反馈信号，调整所述振荡器输出的时钟信号，所述逻辑子模块用于根据所述脉冲宽度调制波和所述时钟信号，控制所述升压电路中N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOS的通断状态，所述NMOS与所述升压电路中的电感连接，当所述NMOS导通时，所述电感充电；

在所述输出电压比所述输入电压高出预设电压阈值时，所述逻辑子模块用于根据所述时钟信号，调整所述升压电路中P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管PMOS的导通时间，所述PMOS的第一端与所述电感连接，当所述PMOS导通时，所述电感通过所述PMOS的第一端放电，所述PMOS的第二端的电位为所述升压电路的所述输出电压；

所述振荡器包括：降频自恢复电路、电流源和充放电振荡模块；

所述电流源用于为所述降频自恢复电路提供基准电流，所述降频自恢复电路用于根据所述基准电流生成镜像电流，并根据所述升压电路反馈的所述第二反馈信号，调整所述镜像电流的大小，并通过调整后的镜像电流对所述充放电振荡模块进行充电；

所述降频自恢复电路包括：分流模块、分压模块和镜像模块，所述分压模块串联连接在所述升压电路的输入端与地电位之间；

所述镜像模块用于根据所述基准电流生成所述镜像电流，所述分流模块用于根据所述分压模块输出的电压对所述镜像电流进行分流，得到所述调整后的镜像电流，并通过所述调整后的镜像电流对所述充放电振荡模块进行充电。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，在所述第二反馈信号由高电平信号切换为低电平信号时，所述时钟信号由第一频率降低至第二频率；之后所述第二反馈信号持续为所述低电平信号，所述时钟信号在预设时间内由所述第二频率恢复至所述第一频率。

3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：软启动子模块，所述软启动子模块用于输出斜坡信号，所述斜坡信号的电压随时间上升；

所述分流模块包括：第一分流PMOS、第二分流PMOS、分流控制NMOS和反相器，所述分压模块包括：第一分压电阻和第二分压电阻，所述镜像模块包括：第一镜像PMOS；

所述第一镜像PMOS的栅极和源极均与所述电流源连接，所述第一镜像PMOS用于根据所述电流源提供的所述基准电流生成第一镜像电流；

所述第一分压电阻和所述第二分压电阻串联连接在所述升压电路的输入端和所述地电位之间；

所述第一分流PMOS的栅极连接在所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间，所述第一分流PMOS的漏极与所述充放电振荡模块连接，用于向所述充放电振荡模块输入用于充电的所述第一镜像电流；

所述第二分流PMOS的栅极与所述软启动子模块的输出端连接，所述第二分流PMOS的漏极与所述分流控制NMOS的漏极连接，所述第二分流PMOS的源极和所述第一分流PMOS的源极，均与所述第一镜像PMOS的漏极连接；

所述分流控制NMOS的源极与所述地电位连接，所述分流控制NMOS的栅极与所述反相器的输出端连接，所述反相器的输入端与所述升压电路连接，用于接收所述升压电路反馈的所述第二反馈信号。

4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述镜像模块还包括：第二镜像PMOS；

所述第二镜像PMOS的栅极和源极均与所述电流源连接，所述第二镜像PMOS用于根据所述电流源提供的所述基准电流生成第二镜像电流；

所述第二镜像PMOS的漏极与所述充放电振荡模块连接，用于向所述充放电振荡模块输入用于充电的所述第二镜像电流。