[发明专利]薄膜覆晶封装结构在审
申请号: | 202110411095.6 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN114864513A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 吴依雯 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/13;H01L23/16;H01L23/367 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 封装 结构 | ||
1.一种薄膜覆晶封装结构,其特征在于,包括:
可挠性基板,具有相对的第一表面与第二表面并定义有冲切范围,其中所述第一表面包括位于所述冲切范围内的芯片接合区与点胶区,所述芯片接合区位于所述点胶区内;
芯片,设置于所述芯片接合区;
底部填充材,设置于所述点胶区且至少填充于所述芯片与所述可挠性基板之间;以及
散热贴片,至少设置于所述第一表面与所述第二表面的其中之一上,所述散热贴片包括第一胶层、散热层与保护层,所述保护层覆盖所述散热层,所述第一胶层位于所述散热层与所述可挠性基板之间,且所述第一胶层于所述可挠性基板上的正投影覆盖所述点胶区且位于所述冲切范围内。
2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述第一胶层于所述可挠性基板上的正投影范围不小于所述点胶区。
3.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述散热层于所述可挠性基板上的正投影范围大于所述冲切范围。
4.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述保护层的尺寸大于所述散热层的尺寸,且所述保护层完全覆盖所述散热层。
5.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述散热贴片更包括第二胶层,位于所述保护层与所述散热层之间。
6.根据权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述第二胶层于所述可挠性基板上的正投影位于所述冲切范围内。
7.根据权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述第二胶层的厚度不大于所述第一胶层的厚度的1/2。
8.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述散热贴片设置于所述第一表面上,所述第一胶层至少覆盖所述芯片的背面与所述底部填充材。
9.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述保护层与所述散热层的尺寸相同且完全覆盖所述散热层。
10.根据权利要求9所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述保护层以涂布方式形成于所述散热层上。
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