[发明专利]一种倍增簇集式光电倍增管

权利要求书

1.一种倍增簇集式光电倍增管，包括真空容器(1)、设置在真空容器(1)上的光学输入窗(2)、设置在光学输入窗(2)内壁的光电阴极(3)，以及设置在真空容器(1)内的电子倍增系统(4)、阳极系统(5)和供电极，其特征在于：

所述电子倍增系统(4)与光电阴极(3)的中心共轴，电子倍增系统(4)包括拼接的多个电子倍增极，每个电子倍增极形成一个电子倍增区，所有电子倍增区的电子增益不同；

所有电子倍增区所覆盖区域小于等于光电阴极(3)有效探测区域；

所述阳极系统(5)包括与多个电子倍增极配合的多个阳极，阳极的数量与电子倍增极的数量相同，且位置一一对应，阳极的面型与其相对应的电子倍增极面型相同；

所述电子倍增系统(4)的电子倍增极为打拿级电子倍增器、微通道板电子倍增器、对电子有倍增作用的半导体器件中的至少一种；

所有电子倍增极与光电阴极(3)阴极面间的距离不相同以及所有电子倍增极的工作电压不同；

所述供电极用于给光电阴极(3)、所有电子倍增极、所有阳极供电；

所述真空容器(1)的容器壁上预留有电极引线和金属线，供电极通过电极引线与真空容器(1)外部的供电系统相连；

每个阳极的信号引出线通过金属线与外部电路连接。

2.根据权利要求1所述倍增簇集式光电倍增管，其特征在于：

所述电子倍增区的排布为环形排布或整列排布或直线型排布或多点排布方式。

3.根据权利要求2所述倍增簇集式光电倍增管，其特征在于：

所述所有电子倍增区所覆盖区域等于光电阴极(3)有效探测区域。

4.根据权利要求3所述倍增簇集式光电倍增管，其特征在于：

所述电子倍增系统(4)的电子倍增极均为打拿级电子倍增器或均为微通道板电子倍增器或均为对电子有倍增作用的半导体器件。

5.根据权利要求4所述倍增簇集式光电倍增管，其特征在于：

所述电子倍增极为N个，2≤N≤6；

所有电子倍增极与光电阴极(3)阴极面间的距离不相同和所有电子倍增极的工作电压不同具体为：

设光学输入窗(2)电压为0V；

电子倍增极与光电阴极(3)阴极面间的距离为5.00mm或4.75mm或4.50mm或4.25mm或4.00mm或3.75mm，电子倍增极相应的输入面电极电压分别为900V或810V或720V或660V或580V或500V。

6.根据权利要求3所述倍增簇集式光电倍增管，其特征在于：

所述光电阴极(3)和光学输入窗(2)的面型相同，且均为圆形；

所述多个电子倍增极为拼接形成整圆且相同结构参数的6个电子倍增极，每个电子倍增极为扇形微通道板电子倍增器；

6个电子倍增极沿圆周方向依次为第一扇形微通道板电子倍增器(41)、第二扇形微通道板电子倍增器(42)、第三扇形微通道板电子倍增器(43)、第四扇形微通道板电子倍增器、第五扇形微通道板电子倍增器、第六扇形微通道板电子倍增器；

第一扇形微通道板电子倍增器(41)、第二扇形微通道板电子倍增器(42)、第三扇形微通道板电子倍增器(43)、第四扇形微通道板电子倍增器、第五扇形微通道板电子倍增器、第六扇形微通道板电子倍增器与光电阴极(3)阴极面间的距离分别为5.00mm、4.75mm、4.50mm、4.25mm、4.00mm、3.75mm；

所述光学输入窗(2)电压为0V；

所述第一扇形微通道板电子倍增器(41)、第二扇形微通道板电子倍增器(42)、第三扇形微通道板电子倍增器(43)、第四扇形微通道板电子倍增器、第五扇形微通道板电子倍增器、第六扇形微通道板电子倍增器的输入面电极电压分别为900V、810V、720V、660V、580V、500V；

所述多个阳极为6个扇形结构阳极，每个扇形结构阳极包括扇形金属电极片和锥形电极引出线。

7.根据权利要求1至6任一所述倍增簇集式光电倍增管，其特征在于：

所有阳极分布于同一平面。