[发明专利]多线阵图像传感器及图像处理方法有效
申请号: | 202110413633.5 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113079330B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 任张强 | 申请(专利权)人: | 锐芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/372;H04N5/351 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张凤伟;吴敏 |
地址: | 215301 江苏省苏州市昆山市开发*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多线阵 图像传感器 图像 处理 方法 | ||
1.一种多线阵图像传感器,其特征在于,包括:控制单元、一组列并行ADC、N个像素阵列和M个输出电路,N≥2,M>1,每个所述像素阵列包括M列像素单元,所述M列像素单元和M个输出电路一一对应;
所述一组列并行ADC包括M个ADC,所述M个ADC和每个像素阵列的M个输出电路一一对应连接;
所述控制单元,适于产生第一时序的D组电极信号,将所述D组电极信号分别输入至对应的像素阵列和输出电路,使得由所述D组电极信号控制输出的第一图像,相对于基准图像,具有预设亚像素位移;所述基准图像,为所述D组电极信号控制输出的亚像素位移图像中任一图像;所述第一图像,为所述D组电极信号控制输出的亚像素位移图像中除所述基准图像外的其它图像;D表示N个像素阵列中用于输出亚像素位移图像的像素阵列的数量;
其中,输入所述电极信号的输出电路及所述第一时序,是根据所述预设亚像素位移及像素阵列之间物理间距所确定的。
2.如权利要求1所述的多线阵图像传感器,其特征在于,所述N个像素阵列中,第1个像素阵列至第N个像素阵列在同一平面内沿第一方向依次分布;第二方向位于所述N个像素阵列所在平面内且垂直于所述第一方向;所述像素阵列之间物理间距,包括:第一方向间距及第二方向间距。
3.如权利要求2所述的多线阵图像传感器,其特征在于,采用如下公式,得到第n1个像素阵列与第n2个像素阵列之间的第一方向间距d:
d=(△t/Tr)*p+K*p+s;
其中,n1<n2,第n1个像素阵列及第n2个像素阵均为N个像素阵列中用于输出亚像素位移图像的像素阵列,△t表示第n1个像素阵列对应的电极信号组与第n2个像素阵的对应的电极信号组之间的时间间隔;p表示一个像素单元的尺寸,K为大于或等于0的整数,Tr表示行周期,s表示所述预设亚像素位移,且
4.如权利要求3所述的多线阵图像传感器,其特征在于,D=N。
5.如权利要求3所述的多线阵图像传感器,其特征在于,D<N。
6.如权利要求5所述的多线阵图像传感器,其特征在于,所述控制单元还适于产生第二时序的Q组电极信号,并输入至所述N个像素阵列的Q个像素阵列对应的输出电路中,使得由所述Q组电极信号控制读出的第一图像,相对于基准图像,仅在第一方向上具有所述预设亚像素位移。
7.如权利要求6所述多线阵图像传感器,其特征在于,所述Q个像素阵列中,第q-1个像素阵列与第q个像素阵列之间的第一方向间距为:K*p+1/N*p,第q-1个像素阵列对应的电极信号,与第q个像素阵列对应的电极信号之间的时间间隔为1/Q个行周期,其中Q≥q>1。
8.如权利要求2所述的多线阵图像传感器,其特征在于,当所述第一图像相对于所述基准图像在所述第二方向上具有所述预设亚像素位移时,对应所述第一图像的像素阵列,相对于对应所述基准图像的像素阵列,具有第二方向间距,且所述第二方向间距与所述预设亚像素位移相等。
9.如权利要求2所述的多线阵图像传感器,其特征在于,当所述第一图像相对于所述基准图像在所述第二方向的亚像素位移为零时,对应所述第一图像的像素阵列,相对于对应所述基准图像的像素阵列,具有第二方向间距,且所述第二方向间距的值也为零。
10.如权利要求1所述的多线阵图像传感器,其特征在于,每组所述电极信号包括:复位信号、选择信号和传输栅控制信号。
11.如权利要求1所述的多线阵图像传感器,其特征在于,所述控制单元,适于接收控制指令,并基于所述控制指令,产生多组电极信号,所述控制指令包括:所述多组电极信号之间的时序指示信息,以及所述多组电极信号对应的输出电路指示信息。
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