[发明专利]一种防止半导体开关器件误开通的电路以及控制方法在审

专利信息
申请号: 202110413919.3 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113193861A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 乔理峰;赵洁;张德辉;李二磊;刘腾;应建平 申请(专利权)人: 台达电子企业管理(上海)有限公司
主分类号: H03K17/16 分类号: H03K17/16
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双
地址: 201209 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 防止 半导体 开关 器件 开通 电路 以及 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种防止半导体开关器件误开通的电路,其特征在于,包括:有源钳位电路、控制电路、功率放大电路以及干扰抑制电路;

所述控制电路与所述功率放大电路的输入端耦接;

所述功率放大电路的输出端与所述半导体开关器件的门极耦接;

所述有源钳位电路的第一端与所述半导体开关器件的第一端连接,所述有源钳位电路的第二端与所述功率放大电路的输入端连接,所述有源钳位电路被配置为自所述半导体开关器件的第一端与所述半导体开关器件的第二端之间的电压大于预设电压时刻起的预设时间段内动作;

所述干扰抑制电路包括可控开关;所述干扰抑制电路的第一端连接所述控制电路,所述干扰抑制电路的第二端连接所述功率放大电路的输入端,所述干扰抑制电路的第三端连接固定电位点;其中所述可控开关被配置为在所述有源钳位电路的动作完成后导通,使得所述功率放大电路的输入端的电位被钳位到固定电位。

2.根据权利要求1所述的防止半导体开关器件误开通的电路,其特征在于,还包括输入电阻和驱动电阻;

所述输入电阻耦接于所述控制电路与所述功率放大电路的输入端之间;

所述驱动电阻耦接于所述功率放大电路的输出端与所述半导体开关器件的门极之间。

3.根据权利要求1所述的防止半导体开关器件误开通的电路,其特征在于,所述可控开关被配置为当所述控制电路输出为高电平或者所述半导体开关器件的门极电压大于预设门极电压时关断。

4.根据权利要求1所述的防止半导体开关器件误开通的电路,其特征在于,所述可控开关被配置为当所述有源钳位电路的动作完成后且所述半导体开关器件的门极电压为预设门极电压时导通,所述预设门极电压小于所述半导体开关器件的门极电压阈值。

5.根据权利要求1所述的防止半导体开关器件误开通的电路,其特征在于,所述可控开关被配置为在所述有源钳位电路动作的所述预设时间段内关断。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的防止半导体开关器件误开通的电路,其特征在于,所述干扰抑制电路的第四端与所述半导体开关器件的门极耦接,用以接收所述半导体开关器件的门极电压。

7.根据权利要求6所述的防止半导体开关器件误开通的电路,其特征在于,所述干扰抑制电路还包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻以及第一电容;

所述第一二极管的阳极与所述干扰抑制电路的第一端耦接,所述第一二极管的阴极与所述可控开关的门极耦接;

所述第二二极管的阳极与所述干扰抑制电路的第二端耦接,所述第二二极管的阴极与所述可控开关的第一端耦接;

所述第一电容耦接于所述可控开关的第一端和所述可控开关的门极之间;

所述第一电阻和所述第三二极管串联连接后耦接于所述可控开关的门极与所述干扰抑制电路的第四端之间;

所述可控开关的第二端耦接于所述干扰抑制电路的第三端的固定电位点。

8.根据权利要7所述的防止半导体开关器件误开通的电路,其特征在于,所述第一电容为所述可控开关的第一端与所述可控开关的门极之间的寄生电容。

9.根据权利要求1-5任意一项所述的防止半导体开关器件误开通的电路其特征在于,所述可控开关的门极连接于所述干扰抑制电路的第一端,所述可控开关的第一端连接所述干扰抑制电路的第二端,所述可控开关的第二端耦接于所述干扰抑制电路的第三端;所述控制电路用于根据所述半导体开关器件的门极电压以及所述控制电路输出的控制信号控制所述控制开关的导通或关断。

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