[发明专利]具备最小开关损耗的共模电压抑制PWM策略有效
申请号: | 202110414751.8 | 申请日: | 2021-04-17 |
公开(公告)号: | CN113131726B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 梁光耀;徐军忠;刘广财;季必胜 | 申请(专利权)人: | 上海宝准电源科技有限公司;嘉兴伏尔电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 熊亮亮 |
地址: | 200030 上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具备 最小 开关 损耗 电压 抑制 pwm 策略 | ||
1.具备最小开关损耗的共模电压抑制PWM策略,其特征在于,包括在三相电压源逆变器上使用PWM调制器,生成三相两电平变频器的驱动信号Sa,Sb和Sc,驱动信号Sa,Sb和Sc的调制波va**、vb**、vc**的表达式为:其中va*,vb*和vc*是三相电压源逆变器中控制器输出的参考电压,v0是零序电压分量;v0的表达式为:
所述v0的生成步骤是:
(1)获得参考电压va*,vb*和vc*和电流采样值ia、ib、ic;
(2)计算∣vm∣*=min(∣va*∣,∣vb*∣,∣vc*∣)和∣in∣*=min(∣ia∣,∣ib∣,∣ic∣),m,n∈{a、b、c};
(3)判断m是否与n相等,m与n相等时,得到vi*=vn*,m与n不相等时,判断∣ip∣是否大于∣iq∣,其中p,q∈a、b、c and p,q≠n,当∣ip∣∣iq∣时,得到vi*=vp*,当∣ip∣不大于∣iq∣时,得到vi*=vq*;
(4)根据步骤(3)中得到的vi*,利用公式:合成得到v0零序电压分量。
2.如权利要求1所述的具备最小开关损耗的共模电压抑制PWM策略,其特征在于,所述v0零序电压分量合成后,对PWM调制器进行选择性的设置。
3.如权利要求2所述的具备最小开关损耗的共模电压抑制PWM策略,其特征在于,所述PWM调制器的设置包括有第一ePWM生成机制和第二ePWM生成机制,vn所对应的相采用第一ePWM生成机制生成,n∈{a、b、c},其余相采用第二ePWM生成机制生成。
4.如权利要求3所述的具备最小开关损耗的共模电压抑制PWM策略,其特征在于,所述第一ePWM生成机制包括:比较值与ePWM的计数值进行比较,在计数值上升时,当比较值大于计数值时输出高电平,在计数值下降,当比较值小于计数值时输出高电平;所述第二ePWM生成机制包括:比较值与ePWM的计数值进行比较,在计数值上升时,当比较值小于计数值时输出高电平,在计数值下降时,当比较值大于计数值时输出高电平。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宝准电源科技有限公司;嘉兴伏尔电子科技有限公司,未经上海宝准电源科技有限公司;嘉兴伏尔电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110414751.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可调节容量的电缆及光缆
- 下一篇:一种自消气泡的化工搅拌釜
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置