[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件

权利要求书

1.一种切片硅异质结电池的制备方法，包括对整片异质结太阳能电池进行切割的步骤，其特征在于，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理工艺中的至少两种：

对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化处理；

在所述切片硅异质结电池主体的切割表面形成侧硅薄膜；

对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行光注入退火处理；

其中，所述切片硅异质结电池主体包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电层和栅电极。

2.根据权利要求1所述的切片硅异质结电池的制备方法，其特征在于，对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化处理工艺中，处理溶液包括氟化氢溶液，所述氟化氢溶液中氟化氢的摩尔浓度范围为0.5％－10％；

优选的是，所述氟化氢溶液的温度范围为10℃－30℃；

优选的是，擦拭所述切割表面的速率范围为30mm/s－166mm/s；

优选的是，对所述切割表面采用擦拭方式进行清洗，每一所述切割表面擦拭次数为1次－5次，擦拭工具为棉签或无尘布。

3.根据权利要求2所述的切片硅异质结电池的制备方法，其特征在于，对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化处理工艺中，进行所述清洗钝化处理之后，对所述切片硅异质结电池主体进行干燥处理；

优选的是，使用烘箱烘干或使用氮气吹干的方式对所述切片硅异质结电池主体进行干燥处理。

4.根据权利要求1所述的切片硅异质结电池的制备方法，其特征在于，在所述切片硅异质结电池主体的切割表面形成侧硅薄膜时，所述侧硅薄膜的介电常数范围为1－10；

所述侧硅薄膜的厚度范围为20nm－110nm；

优选的是，形成所述侧硅薄膜的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及碳化硅中的任一种；

优选的是，所述侧硅薄膜的制备方法包括等离子体化学气相沉积法或热丝化学气相沉积法，所述等离子体化学气相沉积法或所述热丝化学气相沉积法的工艺气体至少包括SiH₄。

5.根据权利要求4所述的切片硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述热丝化学气相沉积法形成所述侧硅薄膜，包括：

将多块所述切片硅异质结太阳能电池主体堆叠整齐；

采用所述热丝化学气相沉积法对多块所述切片硅异质结太阳能电池主体的切割表面进行镀膜，镀膜温度范围为180℃－220℃，镀膜时间范围为10s－2mins；

并对多块所述切片硅异质结太阳能电池主体进行辐照退火；

优选的是，所述等离子体化学气相沉积法制备氮氧化硅薄膜的工艺气体至少包括H₂、SiH₄、N₂O、NH₃，沉积温度范围为30℃－300℃，压强范围为0.5torr－3.5torr；

所述等离子体化学气相沉积法制备氧化硅薄膜的工艺气体包括CO₂、SiH₄、H₂，沉积温度范围为60℃－300℃，压强范围为0.5torr－3.5torr。

6.根据权利要求1所述的切片硅异质结电池的制备方法，其特征在于，对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行光注入退火处理的处理工艺中，将所述切片硅异质结电池主体置于氛围气体中，采用光注入退火方式在设定温度范围内，利用光源对且仅对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行处理；

优选的是，所述光注入退火方式中，所述光源垂直于所述切割表面进行照射；

优选的是，所述光注入退火方式中，所述光源照射方式为连续性照射或者间歇性照射，连续性照射总时间范围为20s－2min，间歇性照射总时间范围为20s－5min；

优选的是，在所述间歇性照射中，所述光源的单次照射时间范围为2ms－20s，单次间歇时间优选为2s－10s；

优选的是，所述光注入退火方式中，光强范围为20sun～100sun；

优选的是，光强范围为30sun－80sun；

优选的是，所述设定温度范围为180℃－220℃。