[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110417541.4 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN113130529A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 竹谷元伸;金荣现 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L25/075;H01L33/50;G09F9/33;G09G3/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本发明提供一种显示装置,其中,包括:面板基板;TFT面板部,布置在所述面板基板的上表面上,并且包括多个连接电极;以及,发光二极管部,布置在所述TFT面板部,并且包括多个像素,其中,所述像素中的每一个包括包含第一子像素、第二子像素以及第三子像素的至少三个子像素,并且,其中,所述第一子像素具有大于所述第二子像素和所述第三子像素的尺寸,其中,所述第一子像素具有红色荧光体层。
本申请是申请日为2017年08月29日、申请号为201780069170.7、发明名称为“显示装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,更详细地,涉及一种利用了微发光二极管的显示装置。
背景技术
发光二极管是向外部发出通过电子和空穴的复合而产生的光的无机半导体元件。近来,使用于显示器、车灯、一般照明等多种领域,并且其范围正在逐渐变得宽泛。
发光二极管具有寿命长、功耗低、响应速度快的优点。据此,利用发光二极管的发光装置可以作为光源而利用于多种领域。
尤其是,近来利用于智能电视或者监视器的显示装置利用薄膜晶体管液晶显示屏(TFT-LCD,Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)面板再现颜色,并利用发光二极管作为用于发出再现的颜色的背光源。或者,也有利用有机发光二极管(OLED、OrganicLight Emitting Diode)制备显示装置的情形。
在TFT-LCD面板作为背光源而利用发光二极管的情况下,一个发光二极管被利用为向TFT-LCD面板的大量像素照射光的光源。在这种情形下,在TFT-LCD面板的画面无论显示哪种颜色,背光源都需要一直维持开启状态,因此具有与显示的画面的明暗无关地消耗恒定的功耗的问题。
并且,对于利用OLED的显示装置而言,虽然通过技术发展正在持续降低功耗,但目前为止,与作为无机半导体元件的发光二极管相比,仍然消耗相当大的功耗,因此具有效率性降低的问题。
尤其,在用于驱动TFT的方式中,利用无源矩阵(PM,Passive Matrix)驱动方式的OLED显示装置由于以脉冲幅度调制(PAM,Pulse Amplitude Modulation)方式控制具有大容量的有机EL(Electro-Luminescence,电致发光),因此可能发生响应速度变慢的问题。并且,在为了实现低占空比(duty)而以脉冲宽度调制(PWM,Pulse Width Modulation)方式进行控制的情形下,则具有由于需要高电流驱动而发生寿命低下的问题。
并且,在用于驱动TFT的方式中,利用有源矩阵(AM,Active Matrix)驱动方式的OLED显示装置对每个像素都连接TFT,因此可能会增加生产成本,并且具有由于TFT特性而导致亮度可能不均一的问题。
发明内容
技术问题
本发明要解决的课题在于提供一种能够应用于可穿戴设备、智能手机或者电视等,并利用了低功耗的微发光二极管的显示装置。
技术方案
本发明提供一种显示装置,其中,包括:发光部,包括有规则地排列的多个发光二极管;TFT面板部,包括驱动多个所述发光二极管的多个TFT;以及光变换部,将从所述发光部发出的光进行变换,其中,所述发光部以及TFT面板部结合为使一表面互相对向,并且各个所述发光二极管与各个TFT电连接,多个所述发光二极管包括一个以上的第一发光二极管以及一个以上的第二发光二极管,从一个以上的所述第一发光二极管发出的光在所述光变换部发生变换,从而通过所述光变换部发出红色光,一个以上的所述第二发光二极管向外部发出绿色光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔半导体株式会社,未经首尔半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110417541.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的