[发明专利]体声波谐振器

说明书

本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：谐振器，包括中央部和延伸部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序堆叠在基板上，所述延伸部沿着所述中央部的外围设置；以及插入层，在所述延伸部中设置在所述压电层与所述基板之间以升高所述压电层。所述插入层包括第一插入层和第二插入层，所述第一插入层的面对所述中央部的侧表面形成为第一倾斜表面，所述第二插入层设置在所述第一插入层与所述压电层之间并且具有相对于所述第一电极的表面延伸的方向与所述第一倾斜表面间隔开的第二倾斜表面。所述第一插入层比所述第二插入层薄。

本申请要求于2020年7月28日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0093989号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波谐振器。

背景技术

根据无线通信装置小型化的趋势，已积极要求高频组件的小型化。例如，可使用利用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)型滤波器。

体声波滤波器(BAW)是薄膜型元件，该薄膜型元件通过在硅晶圆(半导体基板)上沉积压电介电材料而引起谐振，并且可利用该薄膜型元件的压电特性而将BAW实现为滤波器。

对5G通信的技术兴趣正在增加，并且正在积极执行开发可在候选频带中实现的技术。

然而，在使用Sub-6GHz(4GHz至6GHz)频带的5G通信的情况下，由于带宽增大并且通信距离缩短，因此可增大体声波谐振器的信号的强度或功率。另外，随着频率增大，可能增大在压电层或谐振器中发生的损耗。

因此，需要能够使从谐振器的能量泄漏最小化的体声波谐振器。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并且在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

提供一种能够使能量泄漏最小化的体声波谐振器及制造该体声波谐振器的方法。

在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：谐振器，包括中央部和延伸部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序堆叠在基板上，所述延伸部沿着所述中央部的外围设置；以及插入层，在所述延伸部中设置在所述压电层与所述基板之间，其中，所述插入层包括第一插入层和第二插入层，所述第一插入层的面对所述中央部的侧表面形成为第一倾斜表面，所述第二插入层设置在所述第一插入层与所述压电层之间并且具有相对于所述第一电极的表面延伸的方向与所述第一倾斜表面间隔开的第二倾斜表面，其中，所述第一插入层比所述第二插入层薄。

所述体声波谐振器可满足所述第一插入层的宽度/所述第一插入层的厚度≥6，其中，所述第一插入层的宽度是所述第一插入层的所述第一倾斜表面的末端与所述第二插入层的所述第二倾斜表面的末端之间的距离。

所述第一倾斜表面和所述第二倾斜表面可具有不同的倾斜角。

所述第二倾斜表面的倾斜角可比所述第一倾斜表面的倾斜角小。

所述第一倾斜表面的倾斜角可在大于或等于30°且小于或等于70°的范围内，并且所述第二倾斜表面的倾斜角可在大于或等于5°且小于或等于40°的范围内。

所述第二插入层的厚度可大于或等于并且所述第一插入层的厚度可小于或等于

所述第一插入层可利用声阻抗大于所述第二插入层的声阻抗的材料形成。

所述第一插入层可利用二氧化硅(SiO₂)形成。