[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法

权利要求书

1.一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供硅衬底，在所述硅衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和多晶硅栅，在所述多晶硅栅的侧面形成有侧墙；

进行第一次湿法刻蚀将所述多晶硅栅表面以及所述栅极结构的侧墙外的有源区表面的剩余氧化层变薄；

所述剩余氧化层为所述栅极结构、源区和漏区的形成工艺完成后残余的氧化层；

步骤二、形成自对准金属硅化物阻挡层，所述自对准金属硅化物阻挡层覆盖在所述多晶硅栅的顶部表面、所述侧墙的侧面和所述多晶硅栅外的有源区表面；

步骤三、对自对准金属硅化物形成区域的所述自对准金属硅化物阻挡层进行刻蚀，包括如下分步骤：

步骤31、进行第一次干法刻蚀，所述第一次干法刻蚀将所述多晶硅栅顶部以及所述栅极结构的所述侧墙外的所述有源区表面的所述自对准金属硅化物阻挡层的厚度减薄；

步骤32、进行第二次湿法刻蚀将所述多晶硅栅顶部以及所述栅极结构的所述侧墙外的所述有源区表面的所述自对准金属硅化物阻挡层以及所述剩余氧化层完全去除并将硅表面露出；

所述第二次湿法刻蚀为各向同性刻蚀，所述第二次湿法刻蚀会对所述侧墙的侧面的所述自对准金属硅化物阻挡层进行横向刻蚀，通过对所述剩余氧化层进行预先减薄，使所述第二次湿法刻蚀时间减少并保证所述第二次湿法刻蚀对所述侧墙的侧面的所述自对准金属硅化物阻挡层的横向刻蚀不会将所述侧墙的侧面暴露出来，以实现对所述侧墙进行保护；

步骤四、形成金属层，进行金属硅化反应将和硅接触的所述金属层都自对准形成自对准金属硅化物。

2.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：在各所述栅极结构两侧的所述有源区中自对准形成有源区和漏区。

3.如权利要求2所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述源区和所述漏区采用离子注入形成。

4.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述侧墙的材料包括氧化层或氮化层。

5.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：步骤二中，所述自对准金属硅化物阻挡层为二氧化硅和氮化硅的叠加层或者为富硅氧化物层；

采用化学气相沉积工艺形成所述自对准金属硅化物阻挡层。

6.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：步骤三中，采用光刻工艺形成的光刻胶图形定义出所述自对准金属硅化物形成区域，所述光刻胶图形将非自对准金属硅化物形成区域覆盖以及将所述自对准金属硅化物形成区域打开。

7.如权利要求6所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述第二次湿法刻蚀完成后还包括将所述光刻胶图形去除的步骤。

8.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：步骤四中的所述金属层的材料包括镍。

9.如权利要求2所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述栅极结构为CMOS工艺的栅极结构，CMOS工艺中包括NMOS和PMOS，所述NMOS的源区和漏区都由N+区组成，所述PMOS的源区和漏区都由P+区组成。

10.如权利要求9所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述NMOS的形成区域中的有源区中形成有P型阱，所述PMOS的形成区域中的有源区中形成有N型阱。

11.如权利要求10所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：各所述有源区之间隔离有场氧。

12.如权利要求11所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述场氧包括浅沟槽隔离场氧。