[发明专利]一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置

权利要求书

1.一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置，其特征在于：所述沉积室及MPCVD 装置包括壳体（1）、微波导向天线（2）、基片（3）、上磁板（41）、下磁板（42），所述壳体（1）侧壁分别设置进气口和废料口，沉积气体从进气口进入壳体（1），外界从废料口对壳体（1）内部抽真空，所述上磁板（41）水平设置在壳体（1）内部的中间位置，所述下磁板（42）设置在壳体（1）内的底部，所述基片（3）放置在下磁板（42）上，所述微波导向天线（2）从壳体（1）顶部插入壳体（1）内，微波导向天线（2）向壳体（1）内导入微波，微波在基片（3）上方激发等离子体，所述上磁板（41）、下磁板（42）之间构造磁场引导等离子体形成稳定轮廓；

所述上磁板（41）和下磁板（42）相面对的区域磁性相反形成竖直分布的磁感线，在基片（3）水平面上磁感线至少包括第一磁区（61），所述第一磁区（61）磁感线绕一竖直轴线旋转，第一磁区（61）的旋转中心线位于基片（3）范围内，第一磁区（61）的边沿与基片（3）边沿相切；

在基片（3）水平面上磁感线还包括第二磁区（62），所述第二磁区（62）与第一磁区（61）相切，第二磁区（62）内磁感线进行旋转，第一磁区（61）、第二磁区（62）内磁感线延伸方向与旋转方向同时相同或者同时相反。

2.根据权利要求1所述的一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置，其特征在于：所述上磁板（41）和下磁板（42）上分别设置阵列排布的磁铁单元（5），所述磁铁单元（5）受控进行磁性加强、减弱、磁极调转。

3.根据权利要求2所述的一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置，其特征在于：所述磁铁单元（5）为电磁铁，电磁铁在上磁板（41）和下磁板（42）内竖直设置，电磁铁励磁线圈独立控制。

4.根据权利要求2所述的一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置，其特征在于：所述磁铁单元（5）中带磁性的部分周期性调转磁性方向。

5.根据权利要求2所述的一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置，其特征在于：所述磁铁单元（5）的阵列间距小于基片（3）等效圆直径的百分之十。