[发明专利]一种晶圆片自动打磨装置有效
申请号: | 202110418586.3 | 申请日: | 2021-04-19 |
公开(公告)号: | CN113118909B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 范桂林;李茂欣;陈海军;李小东 | 申请(专利权)人: | 上海磐盟电子材料有限公司 |
主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24B41/06;B24B41/02;B24B41/04;B24B47/12;B24B41/00 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 温开瑞 |
地址: | 201600 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片 自动 打磨 装置 | ||
本申请涉及一种晶圆片自动打磨装置,涉及晶圆片加工技术领域,其包括机架以及沿机架高度方向自上而下依次设置的:放料机构,包括放料组件,可拆卸固定连接在所述机架上,用于对切片后的晶圆片进行放料;研磨机构,包括驱动组件和打磨组件,所述打磨组件沿机架长度方向间隔设置有两组,晶圆片位于两组打磨组件之间,且所述驱动组件驱动打磨组件对晶圆片进行打磨;支撑机构,其位于所述研磨机构下方,用于对待打磨的晶圆片进行支撑;抬升机构,包括抬升组件和承接件,所述抬升组件架设在机架上,且所述抬升组件驱动所述承接件将打磨后的晶圆片沿远离支撑机构的方向位移。本申请具有自动化程度高,减少了人工劳动力、提高工作效率的效果。
技术领域
本申请涉及晶圆片加工技术领域,尤其是涉及一种晶圆片自动打磨装置。
背景技术
单晶硅是硅的单晶体,用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成,具有基本完整的点阵结构的晶体,是一种良好的半导材料。
目前,单晶硅生长,最常用的方法叫直拉法。高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向,坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。
生产中,一般将单晶硅进行打磨成圆柱形,并将圆柱形的单晶硅切割成薄片,切割后的薄型圆片叫晶圆片,是半导体行业的原材料。单晶硅切片过程中,晶圆片边缘容易存在毛刺,一般采用人工使用打磨装置对毛刺进行打磨。然而,需要打磨的晶圆片数量较多,人工逐个对晶圆片边缘的毛刺进行打磨,效率较低,亟待改进。
发明内容
为了改善人工对晶圆片边缘的毛刺进行打磨,效率较低的问题,本申请提供一种晶圆片自动打磨装置。
本申请提供的一种晶圆片自动打磨装置采用如下的技术方案:
一种晶圆片自动打磨装置,包括机架以及沿机架高度方向自上而下依次设置的:
放料机构,包括放料组件,可拆卸固定连接在所述机架上,用于对切片后的晶圆片进行放料;
研磨机构,包括驱动组件和打磨组件,所述打磨组件沿机架长度方向间隔设置有两组,晶圆片位于两组打磨组件之间,且所述驱动组件驱动打磨组件对晶圆片进行打磨;
支撑机构,其位于所述研磨机构下方,用于对待打磨的晶圆片进行支撑;
抬升机构,包括抬升组件和承接件,所述抬升组件架设在机架上,且所述抬升组件驱动所述承接件将打磨后的晶圆片沿远离支撑机构的方向位移。
通过采用上述技术方案,将切片后的晶圆片放置在放料机构上,使用支撑机构对待打磨的晶圆片进行支撑,并使用驱动组件对带动打磨组件对晶圆片进行打磨,打磨后的晶圆片通过抬升机构抬升以便于取出晶圆片,改变了原有人工逐片对晶圆片边缘毛刺打磨的方式,通过自动化打磨晶圆片的方式解放了劳动力,并且大大提高了工作效率。
优选的,所述放料组件包括放料架和放料盒,所述放料盒可拆卸固定在放料架上,所述放料盒内沿机架宽度方向均匀间隔设置有多个放料槽,所述放料架上开设有导向槽,所述导向槽与放料槽的长度方向均与所述机架的高度方向平行,且所述导向槽与放料槽一一对应且连通。
通过采用上述技术方案,将打磨后的放置在放料盒内,通过放料槽对晶圆片进行限位,之后将放置有晶圆片的放料盒放置在放料架上,晶圆片通过与放料槽导通的导向槽落至研磨机构上进行研磨作业,便于将晶圆片分隔开以及提高了晶圆片放料的便捷性。
优选的,所述放料架上可拆卸固定有安装板,所述安装板上开设有插接槽,所述插接槽的长度方向与机架的宽度方向平行,所述放料盒靠近放料架的一侧设置有插接条,所述插接条的长度方向与插接槽的长度方向平行,所述插接条与插接槽插接配合。
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