[发明专利]单晶体管结构、多晶体管结构以及电子装置

权利要求书

1.一种单晶体管结构，其特征在于，所述单晶体管结构包括：

衬底；

位于所述衬底同一侧的沟道区、源区和漏区；所述沟道区在延伸方向上具有相对的第一端和第二端；所述源区与所述第一端电接触，所述漏区与所述第二端电接触；

位于所述源区与所述漏区之间的栅极，所述栅极包围部分所述沟道区，所述沟道区与所述栅极相对的区域之间具有绝缘层；

沟道电极，所述沟道电极与所述栅极露出的所述沟道区电接触，所述沟道电极与所述沟道区被所述栅极包围的部分在所述延伸方向上有交叠部分，且所述沟道电极与所述栅极隔绝绝缘；

所述沟道区包括多个侧面，所述栅极露出至少一个所述侧面的部分或全部，用于设置所述沟道电极；所述沟道电极作为输出电极和/或输入电极。

2.根据权利要求1所述的单晶体管结构，其特征在于，所述沟道区包括：相对的第一侧面与第三侧面以及相对的第二侧面和第四侧面；

所述栅极包括：第一子栅极、第二子栅极、第三子栅极与第四子栅极中的至少一者；所述第一子栅极至少覆盖所述第一侧面的部分，所述第二子栅极至少覆盖所述第二侧面的至少部分，所述第三子栅极至少覆盖所述第三侧面的部分，所述第四子栅极覆盖所述第四侧面的部分。

3.根据权利要求2所述的单晶体管结构，其特征在于，当任意相邻的两个侧面均具有子栅极时，该两个侧面所对应的子栅极为一体结构或为分离结构。

4.根据权利要求2所述的单晶体管结构，其特征在于，同一侧面的子栅极为整体结构或是包括多个电极块。

5.根据权利要求2所述的单晶体管结构，其特征在于，在所述第一侧面指向所述第三侧面的方向上，所述沟道区的厚度为H₁，所述沟道电极的厚度为H₂，H₂≤H₁，所述沟道电极位于所述第一侧面和所述第三侧面之间。

6.根据权利要求5所述的单晶体管结构，其特征在于，H₂＜H₁，所述沟道电极靠近所述第一侧面设置、或靠近所述第三侧面设置，或与所述第一侧面以及所述第三侧面的距离相同。

7.根据权利要求1所述的单晶体管结构，其特征在于，所述沟道区包括：相对的第一侧面与第三侧面以及相对的第二侧面和第四侧面；所述第一侧面背离所述衬底，所述第三侧面朝向所述衬底；

所述栅极至少露出所述第三侧面的部分，所述沟道电极位于所述衬底内，与所述栅极露出的所述第三侧面连接。

8.根据权利要求1所述的单晶体管结构，其特征在于，所述单晶体管结构用于作为预设电子元件，所述预设电子元件包括：逻辑门器件、存储器、光电器件以及仿生器件中的至少一种；

其中，所述栅极为所述预设电子元件的输入电极，所述沟道电极为所述预设电子元件的输出电极和/或输入电极。

9.根据权利要求8所述的单晶体管结构，其特征在于，所述栅极包括多个分离的子栅极，以作为所述预设电子元件的多个输入电极；

和/或，所述沟道电极包括多个分离的子沟道极，以作为所述预设电子元件的多个输出电极、或作为所述预设电子元件的多个输入电极、或作为所述预设电子元件的至少一个输入电极和至少一个输出电极。

10.根据权利要求1所述的单晶体管结构，其特征在于，所述单晶体管结构用于作为存储器的存储单元，所述沟道电极与所述沟道区形成结电容，用于存储电荷；所述栅极和沟道电极为存储器中所述存储单元的输入控制电极。

11.根据权利要求1所述的单晶体管结构，其特征在于，所述沟道区在所述延伸方向上的长度为L₁，所述沟道电极在所述延伸方向上的长度为L₂；

L₂＜L₁，所述沟道电极位于所述第一端和所述第二端之间，与所述源区以及所述漏区均具有非零间距。