[发明专利]低频交变磁场屏蔽用有机硅复合磁性材料及其制备方法

权利要求书

1.低频交变磁场屏蔽用有机硅复合磁性材料的制备方法，其特征在于：

(1)称取原料，所述原料包括如下重量份的组分：硅橡胶基体100份，碳纳米管0～5份，石墨烯0～5份，硅烷偶联剂2-10份，硫化剂1-10份，和选自粒径为50μm～500μm的软磁粉料100～300份、500～1000目磁性粉料100～300份和粒径为20～100nm的纳米磁性粉料50～200份中的至少两种；所述的粒径为50μm～500μm的软磁粉料、500～1000目磁性粉料、和粒径为20～100nm的纳米磁性粉料各自独立地选自铁硅铝磁粉、铁硅铬磁粉、铁镍磁粉、羟基铁粉、铁镍钼合金粉和纳米锰锌软磁铁氧体粉末中的一种或多种；

(2)将粒径为50μm～500μm的软磁粉料、和/或500～1000目磁性粉料、和/或粒径为20～100nm的纳米磁性粉料，置于氮气保护气氛炉或真空热处理炉中，进行退火处理:温度500～800℃时，保温60～200min，随炉冷却至100℃以下出炉；

(3)将步骤(2)进行退火处理所得产物和除步骤(2)中进行退火处理的组分以外的其余原料组分按照步骤(1)中的重量份置于混炼机中进行混炼，得到混炼胶；

(4)对所述混炼胶进行成型和硫化，制得所述有机硅复合磁性材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅橡胶基体为甲基乙烯基硅橡胶、甲基苯基乙烯基硅橡胶和氟硅橡胶中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述硫化剂包括过2,4-二氯过氧苯甲酰、2，5-二甲基-2，5-双(叔丁基过氧基)己烷和Pt催化剂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述硫化剂的重量份为4-7份。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述硅烷偶联剂选自γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、六官能度亚乙基硅氧烷、乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(3)中，所述的混炼的温度不超过40℃，混炼时间为60～120min。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(4)中，所述的成型和硫化包括：

采用挤出机对上述混炼胶进行高温挤出成型和隧道炉硫化，最后进行二段硫化；其中，控制挤出温度为100～180℃，挤出压力500～2000PSI；6～12米隧道炉温度为150～300℃，皮带牵引速度1～10m/min；二段硫化的温度为150～300℃，时间为100～500min，制得磁性硅胶管。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(4)中，所述的成型和硫化包括：

采用两套挤出头的共挤出设备对上述混炼胶进行高温复合挤出成型和隧道炉硫化，最后进行二段硫化；其中，控制挤出头1的挤出温度为100～180℃，挤出压力500～2000PSI；控制挤出头2的挤出温度为100～180℃，挤出压力500～2000PSI；6～12米隧道炉温度为150～300℃，皮带牵引速度1～10m/min；二段硫化的温度为150～300℃，时间为100～500min；所述共挤出设备每个挤出头所用的混炼胶组成不同。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(4)包括：

采用5辊2工位压延机对上述混炼胶进行连续加热轧制成型和隧道炉硫化，随后进行二段硫化；其中，放覆膜张力1～5N*m，收覆膜张力2～10N*m，载膜牵引张力1～4N*m，前工位3辊常温压延，后工位2个压延辊温度为100～180℃，6～12米隧道炉温度为150～300℃，皮带牵引速度1～10m/min；二段硫化的温度为150～300℃，时间为100～500min。

10.一种有机硅复合磁性材料，其特征在于：采用权利要求1～9中任一项所述的方法制得。