[发明专利]钙钛矿太阳电池及制备方法有效
申请号: | 202110419644.4 | 申请日: | 2021-04-19 |
公开(公告)号: | CN113241409B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 刘生忠;任小东;何希来;赵奎 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | H10K30/88 | 分类号: | H10K30/88;H10K71/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王艾华 |
地址: | 710119 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿太阳电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,预处理导电玻璃衬底;
步骤2,在导电玻璃衬底上制备电子传输层;
步骤3,在电子传输层上制备BI2•DMSO复合薄膜,在BI2•DMSO复合薄膜中渗入有机盐溶液,加热后形成钙钛矿薄膜;所述B为Pb2+或Sn2+,所述有机盐溶液的溶质由FAI、MABr、MACl和GAI组成,溶剂为异丙醇;
在钙钛矿薄膜上滴加n-R-PEAZ和IPA混合溶液,旋涂后执行步骤4;
n-R-PEAZ覆盖到钙钛矿薄膜上后,使得表面变得平整光滑,粗糙度下降;n-R-PEAZ中,R为CH3O或F-,n为苯环上的邻位、间位或对位,Z为Cl-、Br-或I-;
所述有机盐溶液中FAI、MABr和MACl的质量比为10:1:1,GAI摩尔数为FAI摩尔数的6-12%;
步骤4,在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层;
步骤5,在空穴传输层上制备金属电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述BI2•DMSO复合薄膜的制备方法为:将BI2加入至DMSO中,制备出钙钛矿前驱体溶液,将钙钛矿前驱体溶液滴加到电子传输层上,将液体旋涂后加热,获得BI2•DMSO复合薄膜。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿前驱体溶液中BI2的浓度为0.9-2.0mol/L。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述FAI的浓度为50-105mg/mL。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3中,将有机盐溶液滴加到BI2•DMSO复合薄膜上,旋涂后加热。
6.根据权利要求5的制备方法,其特征在于,CH3O-PEABr和IPA混合溶液中n-R-PEAZ的浓度为2-6mg/mL。
7.一种通过权利要求1-6任意一项制备方法制得的钙钛矿太阳电池,其特征在于,包括钙钛矿薄膜,所述钙钛矿薄膜为ABX3型,所述A由GA+、MA+和FA+组成,所述B为Pb2+或Sn2+,所述X由Cl-、Br-和I-组成;所述钙钛矿薄膜上附着有钝化剂,所述钝化剂为n-R-PEAZ;其中,R为CH3O或F-,n为苯环上的邻位、间位或对位,Z为Cl-、Br-或I-。
8.根据权利要求7所述的一种钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述钙钛矿薄膜的平均厚度为340-1270nm。
9.根据权利要求7所述的一种钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述钙钛矿薄膜中晶粒直径范围为0.5-2μm。
10.根据权利要求7-9任意一项所述的钙钛矿太阳电池,其特征在于,包括由下到上依次堆叠的导电玻璃衬底、电子传输层、钙钛矿薄膜、空穴传输层和金属电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西师范大学,未经陕西师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110419644.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。