[发明专利]各向异性导电膜的制造方法

权利要求书

1.一种各向异性导电膜的制造方法，具备如下工序：

在转印模具的凹部填充带有绝缘粒子的导电粒子的工序、

在填充于所述转印模具中的所述带有绝缘粒子的导电粒子上，覆盖以膜状形成于剥离膜上的绝缘性树脂层、

从所述转印模具剥离所述绝缘性树脂层，得到转印有所述带有绝缘粒子的导电粒子的所述绝缘性树脂层。

2.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述转印后，构成所述带有绝缘粒子的导电粒子的绝缘粒子中，与导电粒子在膜厚方向上接触的所述绝缘粒子数比与所述导电粒子在膜面方向上接触的所述绝缘粒子数少。

3.根据权利要求2所述的各向异性导电膜的制造方法，所述各向异性导电膜中的所述带有绝缘粒子的导电粒子的膜厚方向的截面中，将所述带有绝缘粒子的导电粒子以穿过所述导电粒子的中心且相对于膜厚方向倾斜正45°的直线以及倾斜负45°的直线分割成4个区域A1、A2、A3、A4时，所述导电粒子的上下的区域为A1、A2，所述导电粒子的左右的区域为A3、A4，将存在于所述区域A1、A2、A3、A4中的所述绝缘粒子的个数设为N_A1、N_A2、N_A3、N_A4，

N_A3，N_A4≧N_A2＞N_A1。

4.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述绝缘粒子的粒径为所述导电粒子的粒径的0.4％以上18％以下。

5.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述导电粒子的整个表面中由所述绝缘粒子被覆的比例、即被覆率为20～97％。

6.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述导电粒子的整个表面中由所述绝缘粒子被覆的比例，即被覆率为40～95％。

7.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，进一步具有如下的工序：

在覆盖所述绝缘性树脂层的工序之前，使填充于所述转印模具中的所述带有绝缘粒子的导电粒子与平板接触。

8.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，进一步具有用平板或辊将转印至所述绝缘性树脂层的所述带有绝缘粒子的导电粒子压入的工序。

9.根据权利要求8所述的各向异性导电膜的制造方法，

在所述压入的工序中，将压入量以埋入率Lb/D成为30％以上105％以下的方式进行调整，所述埋入率Lb/D为从与所述带有绝缘粒子的导电粒子接近的面起至所述带有绝缘粒子的导电粒子的最深部为止的距离Lb与所述带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D的比。

10.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述绝缘性树脂层的层厚La与带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D之比、即La/D为0.8～2。

11.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述转印模具的凹部规则排列。

12.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述转印模具的凹部无序分散。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的各向异性导电膜的制造方法，将最低熔融粘度比上述绝缘性树脂层低的低粘度绝缘性树脂层层叠于所述绝缘性树脂层。