[发明专利]LED发光元件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110421085.0 申请日: 2021-04-19
公开(公告)号: CN113140663B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 姚禹;郑远志;康建;陈向东 申请(专利权)人: 马鞍山杰生半导体有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/64;H01L33/48
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 朱颖;臧建明
地址: 243000 安徽省马*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: led 发光 元件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种LED发光元件的制作方法,其特征在于,包括:

固晶:在具有围坝的支架上焊接第一焊盘和第二焊盘,并使第一焊盘和第二焊盘位于由围坝在支架上围设而成的腔体内;其中,所述围坝的下端安装在所述支架上;将LED芯片的正极与所述第一焊盘连接,负极与所述第二焊盘连接,并使LED芯片位于所述腔体内;

注蜡过程:通过加热使蜡融化为液态,然后将其注入由围坝在支架上围设成的腔体内,然后以平板自上而下施加压力,挤出多余的蜡液并注入至腔体内的蜡液表面平坦化,然后自然冷却使蜡液凝固;

经注蜡之后,还包括研磨抛光过程:使用研磨机和抛光机对围坝和LED芯片的发光面进行研磨抛光处理,使得围坝上端和LED芯片的发光面处于同一水平面上;

经研磨抛光之后,还包括去蜡清洗:清洗围坝空腔以及支架边框的蜡;

装配光学透镜:在所述围坝的上端安装光学透镜,使所述腔体形成密闭腔体,并使光学透镜与所述LED芯片的发光面接触,得到所述LED发光元件;

所述光学透镜包括向所述腔体凸起的接触层、以及围绕所述接触层的连接部,所述连接部通过粘结层粘接在所述围坝的上端;所述LED芯片的发光面与所述接触层接触;所述围坝的上端与所述LED芯片的发光面在同一水平面,所述接触层的厚度等于所述粘结层的厚度。

2.一种LED发光元件,其特征在于,采用权利要求1所述的制作方法制得,包括至少一个组成单元,所述组成单元包括:支架、围坝、光学透镜、LED芯片,所述围坝的下端安装在所述支架上,所述光学透镜安装在所述围坝的上端,且所述支架、围坝、光学透镜围设成密闭空腔,所述LED芯片位于所述密闭空腔内;所述LED芯片具有正极、负极以及发光面,所述支架上设有与所述正极相连的第一焊盘、以及与所述负极相连的第二焊盘,所述LED芯片的发光面与所述光学透镜接触。

3.根据权利要求2所述的LED发光元件,其特征在于,所述光学透镜包括向所述密闭空腔凸起的接触层、以及围绕所述接触层的连接部,

所述连接部通过粘结层粘接在所述围坝的上端,以实现所述光学透镜安装在所述围坝的上端;

所述LED芯片的发光面与所述接触层接触,以实现所述LED芯片的发光面与所述光学透镜接触。

4.根据权利要求2所述的LED发光元件,其特征在于,所述LED芯片的发光面为平面,所述接触层与所述发光面接触的一面为平面,所述接触层与所述发光面接触的一面的面积不小于所述发光面的面积。

5.根据权利要求3或4所述的LED发光元件,其特征在于,所述接触层为向密封腔体凸起的部分,以连接部靠近密封腔体的一面为基准计的该凸起的高度为接触层的厚度;所述接触层的厚度为3μm~20μm。

6.根据权利要求2或3所述的LED发光元件,其特征在于,所述光学透镜的形成材料包括氧化硅、氧化铝、氧化钛、氟化镁、氟化钙、硫化铅、石英中的至少一种。

7.根据权利要求2或3所述的LED发光元件,其特征在于,所述LED芯片为蓝宝石衬底;和/或,

所述LED芯片远离所述支架的一面为发光面,所述LED芯片靠近所述支架的一面设有所述正极和所述负极。

8.根据权利要求2或3所述的LED发光元件,其特征在于,满足如下条件中的至少一者:

所述第一焊盘的形成材料包括铝、银、金、铜、锡、铅、铂中的至少一种;

所述第一焊盘焊接在所述支架上;

所述LED芯片的正极与所述第一焊盘焊接在一起;

所述第二焊盘的形成材料包括铝、银、金、铜、锡、铅、铂中的至少一种;

所述第二焊盘焊接在所述支架上;

所述LED芯片的负极与所述第二焊盘焊接在一起。

9.根据权利要求2或3所述的LED发光元件,其特征在于,还包括与所述LED芯片并联设置的稳压二极管。

10.根据权利要求2或3所述的LED发光元件,其特征在于,所述第一焊盘、所述第二焊盘设置在所述支架靠近所述密闭腔体的一面,所述支架远离所述密闭腔体的一面具有与所述第一焊盘相连的第一引脚、以及与所述第二焊盘相连的第二引脚。

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