[发明专利]用于沉积包括钒、氮和其他元素的层的方法和系统

权利要求书

1.一种用于在反应器室中的基板上形成层的方法，所述方法包括施加沉积过程，该沉积过程包括：

向反应器室提供第一前体，该第一前体包括钒；

向反应器室提供第二前体，该第二前体包括选自由钼、钽、铌、铝和硅构成的列表的元素；以及

向反应器室提供反应物，该反应物包括氮；

从而在基板上形成层，该层包括钒；该层包括选自由钼、钽、铌、铝和硅构成的列表的元素；并且该层包括氮。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物包括氨和/或肼。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一前体包括卤化钒、卤氧化钒和钒有机金属化合物中的一个或多个。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一前体包括VCl₄。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括卤化物。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括烷基铝，并且其中，所述层包括铝。

7.根据权利要求6的方法，其中，所述第二前体包括三甲基铝。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括卤化铌，并且其中，所述层包括铌。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括卤化铪或金属有机铪化合物，并且其中，所述层包括铪。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括卤化钼和/或卤氧化钼，并且其中，所述层包括钼。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括硅烷和/或氯硅烷，并且其中，所述层包括硅。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括卤化钽和/或金属有机钽化合物，并且其中，所述层包括钽。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二前体包括卤化钛，并且其中，所述层包括钛。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述层的厚度为至少0.2nm到至多5nm。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，将所述第一前体、第二前体和反应物同时提供至所述反应器室。

16.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，所述沉积过程是循环沉积过程。

17.一种环绕栅pmos场效应晶体管，包括阈值电压调谐层，该阈值电压调谐层是根据权利要求1至16中任一项所述的方法形成的。

18.一种MIM金属电极，包括通过权利要求1至16中任一项所述的方法沉积的层。

19.一种VNAND接触，包括通过根据权利要求1至16中任一项所述的方法沉积的层。

20.一种系统，包括：

一个或多个反应室；

包括第一前体的第一前体气体源，所述第一前体包括钒；

包括第二前体的第二前体气体源，所述第二前体包括选自由钼、钽、铌、铝和硅构成的列表的元素；

包括反应物的反应物气体源，所述反应物包括氮；

控制器，

其中，所述控制器配置为通过根据权利要求1至16中任一项所述的方法来控制进入所述一个或多个反应室中的至少一个的气体流，以形成覆盖基板的表面的层，所述层包括钒、氮和选自由钼、钽、铌、铝和硅构成的列表的元素。