[发明专利]驱动电路及控制芯片

权利要求书

1.一种驱动电路，其特征在于，应用于控制芯片中，所述控制芯片与外部电源连接；所述驱动电路包括：电平转换模块，以及与所述电平转换模块分别连接的脉冲宽度调制模块、储能电容、N型金属氧化物半导体NMOS管M1和开关模块；所述开关模块还与所述储能电容和所述外部电源连接；

所述脉冲宽度调制模块，用于按照预设周期交替向所述电平转换模块输出第一电平和第二电平；其中，所述第二电平大于所述第一电平；

所述开关模块，用于在所述脉冲宽度调制模块输出所述第一电平的情况下导通，在所述脉冲宽度调制模块输出所述第二电平时断开；

所述储能电容，用于在所述开关模块导通时第一端接通所述外部电源，并存储所述外部电源提供的电能，在所述开关模块断开时向所述电平转换模块提供差值电压；所述差值电压为所述储能电容两端的电压差；

所述电平转换模块，用于在所述脉冲宽度调制模块输出第二电平时，基于所述差值电压输出第三电平，所述第三电平大于所述M1的栅极的预设电平值。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述电平转换模块，具体用于基于所述差值电压和所述外部电源的输出电压输出所述第三电平。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，

所述电平转换模块包括上拉电阻、NMOS管M2、P型金属氧化物半导体PMOS管M3和NMOS管M4；

所述上拉电阻分别与所述储能电容第一端、所述M2的漏极连接；

所述M2的栅极与所述脉冲宽度调制模块的输出端连接，所述M2的漏极分别与所述M3的栅极、所述M4的栅极连接，所述M2的源极与所述外部电源连接；

所述M3的源极与所述储能电容第一端连接，所述M3的漏极分别与所述M4的漏极、所述M1的栅极连接；

所述M4的源极与所述储能电容第二端连接。

4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述M1的源极与负载连接，所述M1的漏极与所述外部电源连接，所述M1的栅极与所述电平转换模块的输出端连接，当所述电平转换模块输出第三电平时，所述M1的导通电流流经所述负载。

5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一电平为0电平。

6.根据权利要求1至5任一项所述的驱动电路，其特征在于，所述开关模块为二极管；所述二极管的正极与所述外部电源连接，所述二极管的负极分别与所述储能电容和所述电平转换模块连接。

7.根据权利要求1至5任一项所述的驱动电路，其特征在于，所述开关模块为P型金属氧化物半导体PMOS管M5；

所述M5的栅极与所述电平转换模块的输出端连接，所述M5的源极与所述储能电容连接；所述M5的漏极与所述外部电源连接。

8.根据权利要求1至5任一项所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路与所述控制芯片外部的可变电容连接；所述脉冲宽度调制模块的输入端与所述可变电容连接，所述预设周期为根据所述可变电容当前的电容值确定的。

9.一种控制芯片，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的驱动电路。

10.根据权利要求9所述的控制芯片，其特征在于，所述控制芯片包括转换引脚，脉冲宽度调制模块通过所述转换引脚与所述控制芯片外部的可变电容连接。