[发明专利]微机电系统器件、微机电系统加速度计及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202110423645.6 申请日: 2021-04-20
公开(公告)号: CN114620672A 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 陈亭蓉;林诗玮 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 微机 系统 器件 加速度计 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种微机电系统器件,其特征在于包括:

可移动结构,位于侧向限制空间中,其中所述可移动结构包括中心质量部分及第一可移动梳结构,所述第一可移动梳结构包括贴合到所述中心质量部分的第一侧壁的内梳轴部分及在侧向上从所述内梳轴部分突出的多个第一可移动梳指状件,其中:

所述中心质量部分包括第一半导体材料的一部分;

半导体氧化物板,包含所述第一半导体材料的氧化物,覆盖所述中心质量部分的整个底表面;以及

所述第一可移动梳结构包括介电衬垫及导电填充材料部分,所述介电衬垫在实体上暴露于基质内的空腔,所述导电填充材料部分位于所述内梳轴部分内且连续地延伸到所述多个第一可移动梳指状件中的每一者中并在侧向上被所述介电衬垫包围。

2.根据权利要求1所述的微机电系统器件,其中所述可移动结构包括第二可移动梳结构,所述第二可移动梳结构包括贴合到所述中心质量部分的第二侧壁的另一内梳轴部分及在侧向上从所述内梳轴部分突出的多个第二可移动梳指状件。

3.根据权利要求2所述的微机电系统器件,其中所述半导体氧化物板的宽度大于所述内梳轴部分与外梳轴部分之间的侧向间距,其中所述半导体氧化物板接触所述内梳轴部分的底表面及外梳轴部分的底表面,其中所述侧向限制空间位于半导体基质层中的开口内,所述半导体基质层包括所述第一半导体材料的另一部分。

4.根据权利要求1所述的微机电系统器件,还包括第一固定梳结构,所述第一固定梳结构固定于所述侧向限制空间的第一侧壁上,且包括多个第一固定梳指状件,所述多个第一固定梳指状件与所述多个第一可移动梳指状件交错,其中所述第一固定梳结构包括附加介电衬垫及附加导电填充材料部分,所述附加介电衬垫在实体上暴露于所述侧向限制空间内的所述空腔,所述附加导电填充材料部分位于所述第一固定梳指状件中的相应一者内且在侧向上被所述附加介电衬垫包围。

5.一种微机电系统加速度计,其特征在于包括:

可移动结构,位于侧向限制空间中,其中所述可移动结构包括中心质量部分、第一可移动梳结构及第二可移动梳结构,所述中心质量部分包括第一半导体材料的一部分,所述第一可移动梳结构固定于所述中心质量部分的第一侧上,所述第二可移动梳结构固定于所述中心质量部分的第二侧上,其中所述第一可移动梳结构及所述第二可移动梳结构中的每一者包括各自的梳轴部分及在侧向上从所述各自的梳轴部分突出的各组的多个可移动梳指状件;

第一固定梳结构,固定于所述侧向限制空间的第一侧壁上,且包括多个第一固定梳指状件,所述多个第一固定梳指状件与所述第一可移动梳结构的所述各组的多个可移动梳指状件交错;

第二固定梳结构,固定于所述侧向限制空间的第二侧壁上,且包括多个第二固定梳指状件,所述多个第二固定梳指状件与所述多个第二可移动梳指状件交错;以及

半导体氧化物板,包含所述第一半导体材料的氧化物且覆盖所述中心质量部分的整个底表面。

6.根据权利要求5所述的微机电系统加速度计,其中所述第一可移动梳结构、所述第二可移动梳结构、所述第一固定梳结构及所述第二固定梳结构中的每一者包括各自的介电衬垫且包括各自的导电填充材料部分,所述介电衬垫在实体上暴露于所述侧向限制空间内的空腔。

7.根据权利要求6所述的微机电系统加速度计,其中所述微机电系统加速度计被配置成通过感测电容器结构的电容的变化来测量所述可移动结构相对于所述第一固定梳结构及所述第二固定梳结构的位移,所述电容器结构包括所述第一可移动梳结构、所述第二可移动梳结构、所述第一固定梳结构及所述第二固定梳结构。

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