[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 202110424238.7 | 申请日: | 2016-08-09 |
公开(公告)号: | CN113284933A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 颜崇纹;王兆祥 | 申请(专利权)人: | 颜崇纹;王兆祥 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
本发明公开一种有机发光二极管显示器,包括:基板;彩色滤光层,位于基板上;有机绝缘层,位于彩色滤光层上;阳极以及另一阳极,位于有机绝缘层上,其中阳极对应彩色滤光层,另一阳极对应白光发光区;像素定义层,位于有机绝缘层上;有机发光层,位于像素定义层上;以及阴极,位于像素定义层上;其中,像素定义层包括设置于阳极与另一阳极之间的凸起以及另一凸起。
本申请是中国发明专利申请(申请号:201610644922.5,申请日:2016年08月09日,发明名称:有机发光二极管显示器)的分案申请。
技术领域
本发明涉及有机发光二极管显示器,且特别是涉及一种具有像素定义层的有机发光二极管显示器。
背景技术
一般而言,有机发光二极管是一种自发光显示元件,其通过电性地激发一种有机化合物而发光。近来,有机发光二极管已经受到关注并应用于平面显示器、电视机荧幕、计算机显示器以及携带式电子装置荧幕的领域。当使用于显示器时,有机发光二极管相较平面显示器能提供数个优点,例如其自发光能力、广视角、与高亮度。
由于薄膜晶体管-有机发光二极管(Thin Film Transistor-Organic LightEmitting Diode,TFT-OLED)显示器具有低制造成本、高反应速度(约为液晶的百倍以上)、省电、工作温度范围大、以及重量轻等优点,因此成为目前市场上开发的主流。薄膜晶体管-有机发光二极管显示器主要有两种制作方式,一种是利用低温多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon,缩写为LTPS)薄膜晶体管的技术,另一种则是利用金属氧化物(MetalOxide)薄膜晶体管的技术。
然而,目前的有机发光二极管显示器并非各方面都令人满意。因此,业界仍需一种可更进一步提升光利用效率以及显示品质的有机发光二极管显示器。
发明内容
本发明的一些实施例提供一种有机发光二极管显示器,包括:基板;彩色滤光层,位于基板上;平坦层,位于彩色滤光层上;第一阳极、第二阳极与第三阳极,位于平坦层上;像素定义层,位于平坦层上;有机发光层,位于像素定义层上;以及阴极,位于有机发光层上;其中,第一阳极、第二阳极与第三阳极分别包含未被像素定义层覆盖的第一像素区域、第二像素区域与第三像素区域,且像素定义层包含位于第一像素区域与第二像素区域之间的第一凸起与第二凸起,位于第二像素区域与第三像素区域之间的第三凸起与第四凸起;其中,阴极包含位于第一凸起与第二凸起之间的第一反射部,以及位于第三凸起与第四凸起之间的第二反射部,其中,第一反射部与基板之间的距离大于第二反射部与基板之间的距离。
本发明的一些实施例提供一种有机发光二极管显示器,包括:基板;彩色滤光层,位于基板上;有机绝缘层,位于彩色滤光层上;阳极以及另一阳极,位于有机绝缘层上,其中阳极对应彩色滤光层,另一阳极对应白光发光区;像素定义层,位于有机绝缘层上;有机发光层,位于像素定义层上;以及阴极,位于像素定义层上;其中,像素定义层包括设置于阳极与另一阳极之间的凸起以及另一凸起。
为让本发明实施例的特征、和优点能更明显易懂,下文特举出优选实施例,并配合所附的附图,作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一些实施例的有机发光二极管显示器的剖视图;
图2为本发明一些实施例的有机发光二极管显示器的剖视图;
图3为本发明一些实施例的有机发光二极管显示器的剖视图;
图4为本发明另外一些实施例的有机发光二极管显示器的剖视图;
图5为本发明另外一些实施例的有机发光二极管显示器的剖视图。
符号说明
100:有机发光二极管显示器
102:基板
102S1:上表面
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的