[发明专利]一种高电阻率烧结钐钴磁体及其制备方法有效
申请号: | 202110424362.3 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN113130199B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 俞能君;孙江辉;杨杭福;泮敏翔;吴琼;葛洪良 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/055 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 何碧珩;卓彩霞 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电阻率 烧结 磁体 及其 制备 方法 | ||
1.一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)称取氟化物,将氟化物与酒精、表面活性剂混合,然后进行高能球磨处理,获得氟化物细粉;所述氟化物细粉平均粒度为10~200nm;
(2)在无氧手套箱中将步骤(1)中指制得的氟化物细粉冲洗干净并干燥,获得氟化物粉末;
(3)按Sm2(CoFeCuZr)17合金组分称取金属原料,熔炼均匀,获得合金铸锭;
(4)对合金铸锭破碎处理,然后进行制粉处理,获得磁粉,所述磁粉平均粒度为2.5~5.2μm;
(5)将步骤(2)中制得的氟化物粉末与酒精混合,经超声处理,制得悬浊液;
(6)将步骤(4)中制得的磁粉均匀铺在容器底部的铂片A上,将步骤(5)中制得的悬浊液倒入容器中;倒入后在液体上表面悬空放置铂片B,铂片B完全浸入悬浊液,然后进行电场下沉积处理,在铂片AB上施加电压,铂片B为正极,铂片A为负极,获得沉积磁粉;
(7)对步骤(6)中制得的沉积粉末进行磁场取向成型和冷等静压处理,获得压坯;
(8)对步骤(7)中制得的压坯进行烧结、固溶和退火处理,获得高电阻率烧结钐钴磁体。
2.根据权利要求1所述的一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,步骤(1)中所述氟化物为氟化钙、氟化镁、氟化铽、氟化钐、氟化铜、氟化锆、氟化钴、氟化铁中的一种或几种,氟化物质量为步骤(4)中磁粉质量的1~3%。
3.根据权利要求1所述的一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,步骤(1)中所述表面活性剂为油酸、正庚烷、乙二醇、环己烷、乙酸、氨基环酸中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,步骤(1)中所述表面活性剂的添加量为氟化物质量的2%~6%。
5.根据权利要求1所述的一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,步骤(1)中,以质量百分比计,所述高能球磨工艺的球料比为10~25。
6.根据权利要求1所述的一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,步骤(3)中所述Sm2(CoFeCuZr)17合金的成分,以质量百分比计,其中,24≤Sm≤31,5≤Fe≤30,4≤Cu≤9,2≤Zr≤4,余Co。
7.根据权利要求1所述的一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,步骤(5)中所述超声处理时间为0.5~4h。
8.根据权利要求1所述的一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,步骤(6)中所述电压为3~10V,时间为10~60min。
9.根据权利要求1所述的一种高电阻率烧结钐钴磁体的制备方法,其特征是,步骤(7)中,所述磁场取向成型工艺的磁场强度为2T,压力为30~100MPa。
10.一种高电阻率烧结钐钴磁体,其特征是,所述钐钴磁体由权利要求1-9中任一所述制备方法制备,所述钐钴磁体的成分以质量百分比计,23.5≤Sm≤30.2,4.8≤Fe≤29.7,3.9≤Cu≤8.9,2≤Zr≤3.8,0.02≤F≤0.08,0.04≤TM≤0.2,余Co,其中TM为钙、镁、铽、铜、锆、钴、铁中的一种或几种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量大学,未经中国计量大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110424362.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种厨余垃圾处理方法
- 下一篇:一种工业插头用防脱落连接结构