[发明专利]一种光发射次模块

说明书

本申请涉及一种光发射次模块，包括：管壳；第一热沉，所述第一热沉设置于所述管壳内，并与所述管壳的底面接触；半导体制冷器，所述半导体制冷器设置于所述第一热沉上；以及激光器芯片，所述激光器芯片设置于所述半导体制冷器上。本申请实施例提供的一种光发射次模块，将半导体制冷器设置在第一热沉上方，第一热沉设置于与管壳底部接触，相比同类型器件封装结构，加快了器件的散热效率，还提高了半导体制冷器的抗风险能力。

技术领域

本申请属于光电子通信领域，涉及一种光发射次模块。

背景技术

近年来，伴随着云计算、视频应用、互联网游戏、社交网络等应用的兴起，互联网流量呈现以指数的方式倍增，第五代移动通信(5G)研发应运而生。5G的主要特点是：连续广域覆盖、热点高容量、低功耗大连接和低时延高可靠。其中低功耗大连接主要应用于以传感和数据采集为目标场景，如森林防火、环境监测、智能农业、道路交通等。这类终端分布范围广、数量众多，不仅要求网络具备超千亿连接的支持能力，满足100万/连接数密度指标要求，而且还要保证终端的超低功耗和超低成本。

目前集成EML(Electlro-absorption Modulated Laser，电吸收调制激光器)光发射次模块(Transmitter Optical Subassembly，英文简写：TOSA)的主要应用环境主要是-40℃～85℃，纵然现有技术可以满足在恶劣温度条件下的工作要求，但结构内部存在着功耗大，散热效率低的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种光发射次模块，以解决现有光发射次模块结构内部散热效率低的问题。

为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供了一种光发射次模块，包括：

管壳；

第一热沉，所述第一热沉设置于所述管壳内，并与所述管壳接触；

半导体制冷器，所述半导体制冷器设置于所述第一热沉上；以及

激光器芯片，所述激光器芯片设置于所述半导体制冷器上。

进一步地，所述半导体制冷器的两立柱位于所述管壳长度方向的两侧，所述立柱和所述激光器芯片沿所述壳管壳长度方向错开设置。

进一步地，所述光发射次模块还包括：

热敏电阻，所述热敏电阻设置在所述半导体制冷器上，位于两所述立柱之间或位于所述激光器芯片沿所述管壳长度方向的一侧。

进一步地，所述管壳的射频层的宽度小于两所述立柱之间的距离，所述立柱的高度等于所述管壳的射频层的高度；或，

所述管壳的射频层的宽度等于所述管壳的内部宽度，所述立柱位于所述管壳的射频层的下方。

进一步地，所述光发射次模块还包括：

准直光学组件，所述准直光学组件设置在所述第一热沉上或设置在所述半导体制冷器上，并与所述激光器芯片对应，以使所述激光器芯片的发射光经过所述准直光学组件。

进一步地，所述第一热沉具有第一阶梯面和第二阶梯面，所述第二阶梯面高于所述第一阶梯面，所述半导体制冷器设置在所述第一阶梯面上，所述准直光学组件设置在所述第二阶梯面上。

进一步地，所述光发射次模块还包括：

第二热沉，所述第二热沉设置于所述半导体制冷器上，所述激光器芯片设置于所述第二热沉上。

进一步地，所述光发射次模块还包括：

合波组件；

第三热沉，所述第三热沉设置于所述管壳内并与所述管壳接触，所述合波组件设置在所述第三热沉上；以及