[发明专利]一种高抗噪声的浮动带隙基准源

权利要求书

1.一种高抗噪声的浮动带隙基准源，其特征在于，包括第一LDPMOS管、第二LDPMOS管、第三LDPMOS管、第一LDNMOS管、第二LDNMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容、第二电容、第三电容、NPN管、第一PNP管、第二PNP管、第一齐纳二极管和第二齐纳二极管；其中，

第一LDPMOS管的源极接电源，栅极与漏极互连；第二LDPMOS管的源极接电源，栅极接第一LDPMOS管的漏极；第三LDPMOS管的源极接电源，栅极接第一LDPMOS管的漏极；

第一LDNMOS管的漏极接第一LDPMOS管的漏极，第一LDNMOS管的栅极通过第一电阻后接电源，第一LDNMOS管的源极通过第二电阻后接地；第二LDNMOS管的漏极接第一LDPMOS管的漏极，第二LDNMOS管的栅极接第二LDPMOS管的漏极，第二LDNMOS管的源极依次通过第三电阻和第二电阻后接地；第二LDNMOS管栅极与第二LDPMOS管漏极的连接点还通过第一电容后接地；

第一NMOS管的漏极通过第一电阻后接电源，第一NMOS管的栅极接第二LDNMOS管的源极，第一NMOS管的源极接地；第一NMOS管漏极与第一电阻的连接点接第一齐纳二极管的阴极，第一齐纳二极管的阳极接地；

第二NMOS管的漏极接第二LDPMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极接第二LDNMOS管的源极，第二NMOS管的源极接地；

NPN管的集电极接电源，NPN管的基极接第二齐纳二极管的阴极，第二齐纳二极管的阳极接地；

第四NMOS管的漏极接第三LDPMOS管的漏极，第四NMOS管的栅极接NPN管的发射极；第三NMOS管的漏极第四NMOS管的源极，第三NMOS管的栅极接第一PNP管的集电极，第三NMOS管的源极接地；

第五NMOS管的漏极接NPN管的发射极，第五NMOS管的栅极接第四NMOS管的源极，第五NMOS管的源极接第二电容的负极，第二电容的正极接第一PNP管的集电极；

第六NMOS管的漏极接第五NMOS管的源极，第六NMOS管的栅极接第二LDNMOS管的源极，第六NMOS管的源极接地；

第七NMOS管的漏极接第一PNP管的集电极，第七NMOS管的栅极接第二PNP管的集电极，第七NMOS管的源极接地；

第一PNP管的发射极通过第四电阻后接NPN管的发射极，第一PNP管的基极接第三PMOS管的漏极；第二PNP管的发射极依次通过第五电阻和第四电阻后接NPN管的发射极，第二PNP管的基极接第三PMOS管的漏极；

第八NMOS管的漏极接第二PNP管的集电极，第八NMOS管的栅极和漏极互连，第八NMOS管的源极接地；

第一PMOS管的源极通过第六电阻后接NPN管的发射极，第一PMOS管的栅极接第三PMOS管的漏极；第二PMOS管的源极通过第六电阻后接NPN管的发射极，第二PMOS管的栅极通过第九电阻后接NPN管的发射极；

第九NMOS管的漏极接第一PMOS管的漏极，第九NMOS管的栅极和漏极互连，第九NMOS管的源极接地；第十NMOS管的漏极接第二PMOS管的漏极，第十NMOS管的栅极接第一PMOS管的漏极，第十NMOS管的源极接地；

第三PMOS管的源极通过第七电阻后接NPN管的发射极，第三PMOS管的栅极通过第九电阻后接NPN管的发射极；

第十一NMOS管的漏极接第三PMOS管的漏极，第十一NMOS管的栅极接第二PMOS管的漏极，第十一NMOS管的漏极和栅极之间连接有第三电容和第八电阻；

第二PMOS管栅极、第三PMOS管栅极与第九电阻的连接点还通过第四电阻后接地。