[发明专利]像散测试掩膜版及光刻机台的像散检测方法

权利要求书

1.一种像散测试掩膜版，其特征在于，所述像散测试掩膜版上布满像散测试标记，所述像散测试掩膜版的大小与待测光刻机台的最大曝光区域的大小相同；

每个像散测试标记包括第一类透光图形和第二类透光图形；

所述第一类透光图形由第一透光条和第二透光条构成，所述第一透光条的长边与所述第二透光条的长边平行，所述第一透光条的关键尺寸与所述待测光刻机台的最小分辨率相同；

所述第二类透光图形为第三透光条，所述第二透光条和所述第二类透光图形的关键尺寸大于所述待测光刻机台的最小分辨率，所述第二透光条和所述第二类透光图形的关键尺寸不相同；

一个第一类透光图形和一个第二类透光图形构成一组子标记；

将所述每个像散测试标记分为四个象限，每个象限至少设置有3组子标记；在第一象限和第三象限中，所述第一类透光图形位于所述第二类透光图形的右侧；在第二象限中，所述第一类透光图形位于所述第二类透光图形的上方；在第四象限中，所述第一类透光图形位于所述第二类透光图形的下方；

所述第一象限和所述第二象限中透光图形的放置方向呈90°，所述第一象限和所述第三象限中透光图形的放置方向相同，所述第一象限和所述第四象限中透光图形的放置方向呈90°。

2.一种光刻机台的像散检测方法，其特征在于，所述方法包括：

在晶圆表面涂布光刻胶；

利用像散测试掩膜版和待测光刻机台对所述晶圆进行曝光；

对曝光后的晶圆进行显影；

利用套刻机台测量所述晶圆表面形成的测试图形的套刻值；

根据套刻值与焦距变化量之间的对应关系，确定所述待测光刻机台对应不同曝光位置的像散值；

其中，所述像散测试掩膜版上布满像散测试标记，所述像散测试掩膜版的大小与待测光刻机台的最大曝光区域的大小相同；

每个像散测试标记包括第一类透光图形和第二类透光图形；

所述第一类透光图形由第一透光条和第二透光条构成，所述第一透光条的长边与所述第二透光条的长边平行，所述第一类透光图形的关键尺寸与所述待测光刻机台的最小分辨率相同；

所述第二类透光图形为第三透光条，所述第二透光条和所述第二类透光图形的关键尺寸大于所述待测光刻机台的最小分辨率，所述第二透光条和所述第二类透光图形的关键尺寸不相同；

一个第一类透光图形和一个第二类透光图形构成一组子标记；

将所述每个像散测试标记分为四个象限，每个象限至少设置有3组子标记；在第一象限和第三象限中，所述第一类透光图形位于所述第二类透光图形的右侧；在第二象限中，所述第一类透光图形位于所述第二类透光图形的上方；在第四象限中，所述第一类透光图形位于所述第二类透光图形的下方；

所述第一象限和所述第二象限中透光图形的放置方向呈90°，所述第一象限和所述第三象限中透光图形的放置方向相同，所述第一象限和所述第四象限中透光图形的放置方向呈90°。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取套刻值与焦距变化量之间的对应关系。