[发明专利]一种QDR SRAM应用验证系统及其验证方法在审
申请号: | 202110432103.5 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113128156A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 董方磊;陈雷;陈茂鑫;李建成;王佳;许凯亮;李俊泽;陆时进;马浩 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 张辉 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 qdr sram 应用 验证 系统 及其 方法 | ||
本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统,包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源,该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法,该方法首先确定上电顺序,然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强,对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。
技术领域
本发明属于芯片应用验证领域,涉及一种QDR SRAM应用验证系统及其验证方法。
背景技术
目前国内设计和生产宇航用QDR SRAM的厂商大都处于起步阶段,对QDR SRAM应用验证的经验很少,其中大部分应用验证系统和验证方法主要是验证QDR SRAM控制器与QDRSRAM的时序匹配性,首先对QDR SRAM的验证项目不够充分,且不能兼容不同型号QDR SRAM,第二验证方法相对单一,不具有通用性。为此,需开发一种QDR SRAM应用验证系统及其验证方法,以满足QDR SRAM的应用验证需求。
发明内容
本发明的技术解决问题是:克服现有技术的不足,为QDR SRAM应用验证提供一套验证功能全面、通用性强的QDR SRAM的应用验证系统及其验证方法。
本发明的技术解决方案是:
一种QDR SRAM应用验证系统,包括PC机、QDR SRAM应用验证板和程控电源;
QDR SRAM应用验证板包括FPGA、串口模块、电源模块、可控电源模块、电流检测模块、JTAG和被测QDR SRAM;
串口模块包括串口端口和RS232串口芯片,串口模块用于连接PC机和FPGA,将PC机的验证指令发送给FPGA,并将FPGA反馈的验证结果发送给PC机;
FPGA内部集成QDR SRAM控制器和可控时钟单元,QDR SRAM控制器用于连接被测QDR SRAM,QDR SRAM控制器根据接收的PC机验证指令,向被测QDR SRAM发送控制信号、地址和输入数据,采集被测QDR SRAM的输出数据;可控时钟单元为FPGA内部PLL,用于产生两种时钟频率,第一种时钟频率用于供FPGA正常工作,第二种时钟频率作为被测QDR SRAM的输入时钟频率;根据被测QDR SRAM的输出数据验证被测QDR SRAM功能是否正常,验证结果反馈给串口模块;
电源模块分别给FPGA、串口模块、电流检测模块供电;
可控电源模块给被测QDR SRAM提供内核供电电压和I/O供电电压;
电流检测模块用于采集被测QDR SRAM的I/O电流模拟信号,将其转换成为数字信号,发送给FPGA;
JTAG接收PC机发送的JTAG指令和预加载数据,并转发给被测QDR SRAM;捕获被测QDR SRAM的输出数据,转发给PC机;
程控电源为电源模块和可控电源模块供电;
PC机:向串口模块发送验证指令,通过串口模块接收验证结果,并进行记录和显示;向JTAG发送JTAG指令和预加载数据,对JTAG捕获的数据进行记录和显示,并验证被测QDR SRAM的JTAG功能是否正常。
所述被测QDR SRAM根据有无ODT功能,分为带ODT功能和不带ODT功能两种类型;
被测QDR SRAM与FPGA之间设置50欧姆上拉电阻,被测QDR SRAM和上拉电阻之间通过跳线帽的方式连接,当测试不带ODT功能的QDR SRAM时,将跳线帽扣上;当测试带ODT功能的QDR SRAM时,将跳线帽摘下;实现了在同一个插座下两种不同类型QDR SRAM的验证。
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